[發明專利]冰裂紋晶核劑干粒、冰裂紋晶花透光陶瓷磚及其制備方法

有效

• 申請號: 201911183821.2
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110862230B
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發明（設計）人: 潘利敏;汪隴軍;楊元東;王賢超;程科木
• 申請（專利權）人: 蒙娜麗莎集團股份有限公司
• 主分類號: C03C8/00
• 分類號: C03C8/00;C03C8/08;C04B35/19;C04B41/89;C03C1/08;C03C1/06
• 代理公司: 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261
• 代理人: 曹芳玲;熊子君

1.冰裂紋晶核劑干粒，其特征在于，包括膨脹系數為230～240×10^-7/℃的大膨脹晶核劑干粒和膨脹系數為165～175×10^-7/℃的小膨脹晶核劑干粒；所述大膨脹晶核劑干粒的原料組成包括：以質量百分比計，鉀長石：10～20%、鈉長石：6～18%、石英：7～11%、氧化鋁：5～9%、方解石：8～12%、白云石：18～22%、碳酸鋇：7～9%、氧化鋅0～2%、冰晶石2～4%、硼酸2～4%、磷酸鋁：1～2%、鋯英粉：8～10%、氧化鎢：1～2%；所述小膨脹晶核劑干粒的原料組成包括：以質量百分比計，鉀長石：15～25%、鈉長石：5～15%、石英：10～14%、氧化鋁：0.5～1.5%、方解石14～18%、氧化鋅8～12%、螢石：1～3%、硼酸：1～3%、磷酸鈣：1～2%、金紅石：15～17%、鋯英粉：7～9%、氧化鎢：1～2%。

2.根據權利要求1所述的冰裂紋晶核劑干粒，其特征在于，所述大膨脹晶核劑干粒和小膨脹晶核劑干粒的質量比為（55～75）：（25～45）。

3.根據權利要求1所述的冰裂紋晶核劑干粒，其特征在于，所述大膨脹晶核劑干粒的膨脹系數高于小膨脹晶核劑干粒55～75×10^-7/℃。

4.根據權利要求1所述的冰裂紋晶核劑干粒，其特征在于，所述冰裂紋晶核劑干粒的顆粒級配為：30～60目：20～30%，60～80目：25～35%，80～100目：25～35%，100～120目：10～20%。

5.根據權利要求1所述的冰裂紋晶核劑干粒，其特征在于，所述大膨脹晶核劑干粒的粒徑為30～100目，所述小膨脹晶核劑干粒的粒徑為60～120目。

6.彩色冰裂紋晶花透光陶瓷磚，其特征在于，包括由權利要求1～5中任一項所述的冰裂紋晶核劑干粒形成的冰裂層。

7.根據權利要求6所述的彩色冰裂紋晶花透光陶瓷磚的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將透光粉料壓制成透光陶瓷坯體；

（2）在透光陶瓷坯體上噴墨打印圖案；

（3）施權利要求1～5中任一項所述的冰裂紋晶核劑干粒；

（4）再施晶花干粒釉，將干粒固定；

（5）將步驟（4）所得的坯體燒成、拋光。

8.根據權利要求7所述的彩色冰裂紋晶花透光陶瓷磚的制備方法，其特征在于，所述晶花干粒釉的原料組成包括：以質量百分比計，鉀長石：6～10%、鈉長石：47～51%、石英：3.5～5.5%、氧化鋁：2.5～4.5%、白云石：18～22%、碳酸鋇：2～6%、氧化鋅4～6%、螢石3～5%、磷酸鈣：1.0～1.5%。