[發明專利]一種加速SiC MOSFET體二極管雙極退化的功率循環方法在審
| 申請號： | 201911183818.0 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110907791A | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發明（設計）人： | 王振宇;李運甲;孫曉華;朱鄭允;郭清;劉曄 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學;浙江大學 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 王艾華 |
| 地址： | 710049 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 加速 sic mosfet 二極管 退化 功率 循環 方法 | ||
1.一種加速SiC MOSFET體二極管雙極退化的功率循環方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)分別對同型號的SiC MOSFET分立器件一與SiC MOSFET分立器件二進行靜態特性測試，測量其體二極管的正向IV特性；
2)再對上述SiC MOSFET分立器件一與SiC MOSFET分立器件二進行動態特性測試，測量其體二極管的反向恢復電流波形；
3)確定合適大小的重復浪涌電流，浪涌電流為SiC MOSFET分立器件額定電流的5—10倍，并進行常溫下和高溫下功率循環的溫度評估，確保功率循環期間SiC MOSFET分立器件一與SiC MOSFET分立器件二的瞬時溫度不超過器件最大殼溫；
4)對SiC MOSFET分立器件一的體二極管在常溫下進行重復浪涌電流功率循環試驗，再次測量靜、動態特性；
5)對SiC MOSFET分立器件二的體二極管在高溫100-150℃下進行重復浪涌電流功率循環試驗，再次測量靜、動態特性；
6)直至SiC MOSFET分立器件一、SiC MOSFET分立器件二的體二極管出現明顯的靜、動態特性退化，比較常溫下與高溫下的退化現象，分析高溫下的退化機理。
2.根據權利要求1所述的一種加速SiC MOSFET體二極管雙極退化的功率循環方法，其特征在于，步驟4)和步驟5)中，進行重復浪涌電流功率循環試驗2000—50000次。
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