[發(fā)明專利]一種簡(jiǎn)單減少BBO晶體中間包絡(luò)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911181824.2
• 申請(qǐng)日: 2019-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN110938870A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王昌運(yùn);陳偉;謝發(fā)利;張星;陳秋華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B35/00
• 分類號(hào): C30B35/00;C30B29/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種簡(jiǎn)單減少BBO晶體中間包絡(luò)的方法,采用硼酸、碳酸鋇為原料，氟化鈉為助熔劑，鉑金坩堝和熔鹽爐為生長(zhǎng)裝置，當(dāng)晶體停止轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，在晶體表面中間區(qū)域射入一束30?50mW的綠光激光，生長(zhǎng)得到晶體中間包絡(luò)明顯減少的晶體毛坯。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種人工晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其涉及一種減少BBO晶體中間包絡(luò)的方法。

背景技術(shù)

低溫相偏硼酸鋇β-BaB2O4是一種非常重要的新型非線性晶體，具有寬的透光范圍，大的有效倍頻系數(shù)，大的雙折射率和高的激光損傷閾值，廣泛運(yùn)用于激光倍頻，目前還未見有性能更好的材料取代它。

該晶體目前采用頂部籽晶法生長(zhǎng)，晶體生長(zhǎng)過程采用緩慢降溫，靠流體自然對(duì)流生長(zhǎng)，自然對(duì)流熔體中間的對(duì)流特別小，生長(zhǎng)出來的晶體中間包絡(luò)嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明采用硼酸、碳酸鋇為原料，氟化鈉為助熔劑，鉑金坩堝和熔鹽爐為生長(zhǎng)裝置，晶體生長(zhǎng)前期有轉(zhuǎn)動(dòng)，熔體對(duì)流生長(zhǎng)，中間不易形成包絡(luò)，當(dāng)晶體生長(zhǎng)至鍋壁時(shí)，籽晶停轉(zhuǎn)，熔體對(duì)流降低，這時(shí)我們利用激光的強(qiáng)能量，和高穿透等特點(diǎn)，在晶體表面中間區(qū)域射入一束30mW-50mW的綠光激光，利用激光與熔體和晶體中原子作用，降低雜質(zhì)、位錯(cuò)等缺陷在晶體中間的形成。

具體實(shí)施方式

實(shí)施方式一：

將BBO原料碳酸鋇，硼酸，氟化鈉按比例混勻利用化料爐熔透，裝入坩堝，將坩堝置于熔鹽爐中，升溫至1100℃，原料達(dá)到熔融狀態(tài)，將熔體溫度降至1000℃下籽晶，將固定有BBO籽晶的籽晶桿緩慢下沉至熔體液面，以5轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)籽晶桿，當(dāng)晶體生長(zhǎng)快至坩堝壁時(shí)，籽晶桿停止轉(zhuǎn)動(dòng)，在晶體表面中間區(qū)域射入一束30mW的綠光激光，開始1℃/d速率降溫，經(jīng)過5個(gè)月，取出晶體，利用綠光照射晶體中間區(qū)域檢測(cè)包絡(luò)，晶體包絡(luò)明顯減少。