[發(fā)明專利]一種低溫相偏硼酸鋇晶體生長方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911181804.5 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110923812A | 公開（公告）日： | 2020-03-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王昌運;陳偉;謝發(fā)利;張星;陳秋華 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/10 | 分類號： | C30B29/10;C30B11/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 硼酸 晶體生長 方法 | ||
一種低溫相偏硼酸鋇晶體生長方法利用T型鉑金坩堝生長出高質(zhì)量BBO晶體。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及一種人工晶體生長領域，尤其涉及一種低溫相偏硼酸鋇晶體生長方法。
背景技術(shù)
低溫相偏硼酸鋇β-BaB2O4是一種非常重要的新型非線性晶體，具有寬的透光范圍，大的有效倍頻系數(shù)，大的雙折射率和高的激光損傷閾值，廣泛運用于激光倍頻，目前還未見有性能更好的材料取代它。
該晶體目前采用頂部籽晶法生長，晶體生長過程采用緩慢降溫，流體流動緩慢，生長出來晶體包裹物多，質(zhì)量差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過坩堝設計，在坩堝底部設計一個T型層，層上面分布著圓孔且上下層熔體貫通。本發(fā)明利用T型鉑金坩堝和熔體導熱能力的差異和圓孔結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)T型坩堝附近熔體和上層，下層熔體強制對流。本發(fā)明包含以下生長步驟：晶體前期籽晶桿轉(zhuǎn)速20r/min，當晶體生長至鍋壁時，籽晶桿停止轉(zhuǎn)動，開始1-2℃/天降溫，直至降溫120℃，停止生長，采用轉(zhuǎn)爐取出晶體，生長得到高質(zhì)量BBO晶體。
附圖說明
圖1是本發(fā)明晶體生長爐示意圖
圖中，1、籽晶桿電機，2、觀察孔，3、籽晶桿，4、爐膛，5、籽晶，6、坩堝層，7、坩堝托，8、T型層示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明的實施例中，用于制備BBO晶體的生長設備如圖1所示，將晶體生長原料熔融倒?jié)M生長坩堝，生長坩堝中部置于生長爐中，升溫，試晶，將正式籽晶置于坩堝中部，轉(zhuǎn)速20r/min，當晶體生長至鍋壁時，停止轉(zhuǎn)動，開始以2℃/天的速率降溫，生長4個月時取出晶體，得到高質(zhì)量BBO晶體毛坯。
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