[發(fā)明專利]連續(xù)式真空鍍膜設備

有效

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• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110699659B
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 金晨;楊卓;李建銀;張澄
• 申請（專利權(quán)）人: 北京七星華創(chuàng)集成電路裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發(fā)明提供一種連續(xù)式真空鍍膜設備，該連續(xù)式真空鍍膜設備包括依次設置的第一升降臺、鍍膜裝置以及第二升降臺，第一升降臺和第二升降臺均能夠在上工位和下工位之間升降，且在第一升降臺和第二升降臺上均設置有用于傳輸托盤的第一傳輸裝置和第二傳輸裝置；回傳機構(gòu)，用于在第一升降臺和第二升降臺均位于下工位時在二者之間傳輸托盤。本發(fā)明提供的連續(xù)式真空鍍膜設備，其可以在需要基片進行多次鍍膜時自動對基片進行連續(xù)傳送，從而不僅可以實現(xiàn)基片的連續(xù)多次鍍膜，而且可以降低人工成本，提高生產(chǎn)效率。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體加工技術領域，具體地，涉及一種連續(xù)式真空鍍膜設備。

背景技術

在稀土磁性材料生產(chǎn)領域，需要用真空鍍膜生產(chǎn)線對釹鐵硼基片的表面進行沉積處理。工藝時，將釹鐵硼基片均勻放置在托盤上，并使托盤依次進入生產(chǎn)線的工藝腔室進行鍍膜。現(xiàn)有的連續(xù)式真空鍍膜設備主要包括進料臺、進樣室、清洗室、鍍膜室、緩沖室、降溫室、出樣室和出料臺等。

在實際生產(chǎn)過程中，釹鐵硼基片均勻擺放在托盤上，然后通過人工方式把托盤放置在進料臺上，然后通過進料臺上的傳送裝置進入進樣室，然后依次進入各個腔室進行相應的工藝，最后將將托盤傳送至出料臺，并通過人工進行下料。

但是，由于上述設備的上料和下料均需要人工參與，尤其是基片需要多次鍍膜的情況，人工成本高，且生產(chǎn)效率低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種連續(xù)式真空鍍膜設備，其可以在需要基片進行多次鍍膜時自動對基片進行連續(xù)傳送，從而不僅可以實現(xiàn)基片的連續(xù)多次鍍膜，而且可以降低人工成本，提高生產(chǎn)效率。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種連續(xù)式真空鍍膜設備，包括依次設置的第一升降臺、鍍膜裝置以及第二升降臺，

所述第一升降臺和所述第二升降臺均能夠在上工位和下工位之間升降，且在所述第一升降臺和所述第二升降臺上均設置有用于傳輸托盤的第一傳輸裝置和第二傳輸裝置；

回傳機構(gòu)，用于在所述第一升降臺和所述第二升降臺均位于所述下工位時在二者之間傳輸所述托盤。

可選的，所述第一升降臺包括：第一托盤架和第一升降機構(gòu)，在所述第一托盤架上設置有所述第一傳輸裝置，且所述第一升降機構(gòu)用于驅(qū)動所述第一托盤架在上工位和下工位之間升降；

所述第二升降臺包括第二托盤架和第一升降機構(gòu)，在所述第二托盤架上設置有所述第二傳輸裝置，且所述第一升降機構(gòu)用于驅(qū)動所述第二托盤架在上工位和下工位之間升降。

可選的，所述回傳機構(gòu)包括用于傳輸所述托盤的第三傳輸裝置，所述第三傳輸裝置設置在所述鍍膜裝置的下方。

可選的，所述第一傳輸裝置、所述第二傳輸裝置以及第三傳輸裝置均包括傳送帶機構(gòu)或者輥軸機構(gòu)。

可選的，所述連續(xù)式真空鍍膜設備還包括翻轉(zhuǎn)裝置，且所述翻轉(zhuǎn)裝置、所述第一升降臺、所述鍍膜裝置以及所述第二升降臺依次設置；所述翻轉(zhuǎn)裝置用于通過翻轉(zhuǎn)兩個托盤，來使兩個所述托盤之間的基片的正面或背面朝上；并且，在所述翻轉(zhuǎn)裝置上設置有用于傳輸所述托盤的第四傳輸裝置，在所述第一升降臺位于所述上工位時，所述第四傳輸裝置與所述第一傳輸裝置之間能夠傳遞所述托盤。

可選的，所述翻轉(zhuǎn)裝置包括可翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)架、相對設置在所述翻轉(zhuǎn)架上的兩個第一夾緊機構(gòu)、分別與兩個所述第一夾緊機構(gòu)連接的兩個載臺組件以及分別設置在兩個所述載臺組件上的兩個第二夾緊機構(gòu)，其中，

各所述載臺組件上均設置有所述第四傳輸裝置；

兩個所述第一夾緊機構(gòu)用于分別向兩個所述載臺組件的四周邊緣處施加壓力，以將置于兩個所述載臺組件之間的兩個所述托盤夾緊；

兩個所述第二夾緊機構(gòu)用于分別向置于兩個所述載臺組件上的兩個所述托盤的指定位置施加壓力，所述指定位置為與所述托盤上的基片相對應的位置。