[發明專利]一種高可靠性上電復位電路

有效

• 申請號: 201911181486.2
• 申請日: 2019-11-27
• 公開（公告）號: CN110837267B
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 馮曉光;張偉;薛春
• 申請（專利權）人: 華大半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種上電復位電路，包括：

自偏置電路、啟動電路和比較電路，

其中所述自偏置電路包括第一電阻R1、第一PMOS晶體管MP1、第二PMOS晶體管MP2、第一NMOS晶體管MN1、第二NMOS晶體管MN2，第一電阻R1連接在電源VCC與第一節點N1之間；第一PMOS晶體管MP1的源級連接到電源VCC、漏極連接到第二節點N2，柵極連接到第一節點N1；第二PMOS晶體管MP2的源級連接到第一節點N1，漏極連接到第三節點N3，柵極連接到第二節點N2；第一NMOS晶體管MN1的源級接地，漏極連接到第二節點N2，柵極連接到第三節點N3；第二NMOS晶體管MN2的源級接地，漏極和柵極相互連接并且連接到第三節點N3，

所述啟動電路連接在第二節點N2和接地之間，

所述比較電路包括第三PMOS晶體管MP3、第四PMOS晶體管MP4、第三NMOS晶體管MN3、第四NMOS晶體管MN4、第二電阻R2、第三電阻R3以及反相器INV，第三PMOS晶體管MP3的源級連接到電源VCC、漏極連接到第四節點N4，柵極連接到第一節點N1；第四PMOS晶體管MP4的源級連接到電源VCC、漏極連接到第五節點N5，柵極連接到第四節點N4；第三NMOS晶體管MN3的源級通過第二電阻R2接地、漏極連接到第四節點N4，柵極連接到第三節點N3；第三電阻R3的一端連接到第四節點N4，另一端連接到第三NMOS晶體管MN3的源級；第四NMOS晶體管MN4漏極連接到第五節點N5，柵極連接到第四節點N4，源級接地；反相器INV的輸入端連接到第五節點N5，輸出端連接到輸出POR。

2.一種上電復位電路，包括：

自偏置電路、啟動電路和比較電路，

所述自偏置電路包括第一電阻R1、第一PMOS晶體管MP1、第二PMOS晶體管MP2、第一NMOS晶體管MN1、第二NMOS晶體管MN2，第一電阻R1連接在接地GND與第一節點N1之間；第一PMOS晶體管MP1的源級連接到電源VCC、漏極連接到第二節點N2，柵極連接到第三節點N3；第二PMOS晶體管MP2的源級連接到電源VCC，漏極和柵極相連并連接到第三節點N3；第一NMOS晶體管MN1的源級接地，漏極連接到第二節點N2，柵極連接到第一節點N1；第二NMOS晶體管MN2的源級連接到第一節點N1，漏極連接到第三節點N3，柵極連接到第二節點N2，

所述啟動電路連接在第二節點N2和電源VCC之間，

所述比較電路包括第三PMOS晶體管MP3、第四PMOS晶體管MP4、第三NMOS晶體管MN3、第四NMOS晶體管MN4、第二電阻R2、第三電阻R3以及反相器INV，第三PMOS晶體管MP3的源級連接到電源VCC、漏極連接到第四節點N4，柵極連接到第三節點N3；第四PMOS晶體管MP4的源級連接到電源VCC、漏極連接到第五節點N5，柵極連接到第四節點N4；第三NMOS晶體管MN3的源級通過第二電阻R2接地、漏極連接到第四節點N4，柵極連接到第一節點N1；第三電阻R3的一端連接到第四節點N4，另一端連接到第三NMOS晶體管MN3的源級；第四NMOS晶體管MN4漏極連接到第五節點N5，柵極連接到第四節點N4，源級接地；反相器INV的輸入端連接到第五節點N5，輸出端連接到輸出POR。

3.如權利要求1或2所述的上電復位電路，其特征在于，所述啟動電路是電阻器。

4.如權利要求1或2所述的上電復位電路，其特征在于，所述啟動電路是MOS晶體管。

5.如權利要求1或2所述的上電復位電路，其特征在于，還包括設置在第四PMOS晶體管MP4的源級或漏極處的電阻。

6.如權利要求1或2所述的上電復位電路，其特征在于，還包括設置在第四PMOS晶體管MP4的源級處的第五PMOS晶體管MP5，所述第五PMOS晶體管的源級連接到電源VCC，第五PMOS晶體管的漏極連接到第四PMOS晶體管MP4的源級，第五PMOS晶體管的柵極連接到第三PMOS晶體管MP3的柵極。