[發明專利]硅片對準標記布局的優化方法

有效

• 申請號: 201911178873.0
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN110880469B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 李璟;丁敏俠;張清洋;朱世懂;折昌美;武志鵬;胡丹怡
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/67
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種硅片對準標記布局的優化方法，其特征在于，包括：

初始化對準標記個數，選取對準標記所在的場格；

根據硅片變形數據，優化對準標記所處場格；其中，所述優化對準標記所處場格的方法包括根據對準標記測量值和對準標記實際位置值進行最小二乘法擬合，遍歷硅片上的場格，選取擬合誤差最小的組合即為優化的對準標記所處場格；所述對準標記測量值是直接測量得到的；所述對準標記實際位置值通過分析同批次或同工藝流程的硅片、獲取硅片變形數據、然后通過插值算法得到的；

優化對準標記在場格中的位置；具體包括：

曝光場實際位置(R_x,R_y)，將對準標記在曝光場場格中的位置設計值(x_m,y_m)，結合對準標記的測量結果可以得到對準標記所在曝光場場格的測量值，(M_x(x_m),M_y(y_m))，將(x_m,y_m)作為變量，通過優化算法，計算誤差平方和E＝∑(R_x-M_x)²+∑(R_y-M_y)²，當E最小時，即得到最優的標記位置(x_m,y_m)；

計算最小的對準標記個數，即完成所述硅片對準標記布局優化；其中計算所述最小的對準標記個數包括：

根據優化后的對準標記所處場格和優化后的對準標記在場格中的位置，遍歷所選場格，依次減少對準標記個數，選取滿足誤差閾值且對準標記個數最小的組合，即得到最優的對準標記個數。

2.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

所述插值算法包括多項式插值算法、牛頓插值算法、樣條插值算法。

3.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

所述優化算法包括最小二乘法。

4.根據權利要求1所述的優化方法，其特征在于，

所述誤差閾值是根據對準誤差預算確定的。