[發明專利]一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法在審
| 申請號： | 201911177535.5 | 申請日： | 2019-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN110854065A | 公開（公告）日： | 2020-02-28 |
| 發明（設計）人： | 單光寶;李國良;向浩;朱樟明;楊力宏;楊銀堂 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L21/306 |
| 代理公司： | 重慶萃智邦成專利代理事務所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒夢來 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高深 tsv 硅通孔 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟1、在硅晶片上進行刻孔；
步驟2、減薄硅晶片；
步驟3、分別從通孔的正反兩面進行沉積；
步驟4、分別從通孔的正反兩面進行金屬填充。
2.如權利要求1所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述步驟1、在硅晶片上進行刻孔，采用激光刻蝕法或者深反粒子刻蝕法。
3.如權利要求1所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述步驟2、減薄硅晶片是對晶片進行CMP研磨。
4.如權利要求1所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述步驟3、分別從通孔的正反兩面進行沉積，具體過程是，首先，分別從通孔的正反兩面沉積絕緣層，然后再從通孔的正反兩面沉積阻擋層，最后，再從通孔的正反兩面沉積種子層。
5.如權利要求1所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述分別從通孔的正反兩面進行金屬填充是采用電鍍法進行。
6.如權利要求4所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述絕緣層采用的材料為二氧化硅或氮化硅。
7.如權利要求4所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述阻擋層為是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有機聚合物。
8.如權利要求4所述的一種高深寬比TSV硅通孔的制備方法，其特征在于：所述種子層為金屬銅。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
