[發(fā)明專(zhuān)利]單晶硅小片電池的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911174269.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110854238B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-04-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任常瑞;許佳平;黃計(jì)軍;方敏;符黎明 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 常州時(shí)創(chuàng)能源股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 213300 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶硅 小片 電池 制備 方法 | ||
1.一種P型PERC雙面電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
（A）制備小片硅片，包括如下具體步驟：
1）將單晶硅圓棒切成可制備電池整片的長(zhǎng)方體狀硅塊；該硅塊包括：一對(duì)相背設(shè)置的端面，以及位于該對(duì)端面之間的四個(gè)側(cè)面；
2）沿垂直于硅塊一對(duì)端面且平行于硅塊四個(gè)側(cè)面中一個(gè)側(cè)面的方向，將長(zhǎng)方體狀硅塊切割出用于制備小片電池的長(zhǎng)方體狀小硅塊；該小硅塊包括一對(duì)相背設(shè)置的端面，所述小硅塊的端面為硅塊端面的三分之二；
3）沿平行于小硅塊端面的方向，對(duì)小硅塊進(jìn)行切片，切割出小片硅片；
（B）將所述小片硅片制備成小片電池，包括如下具體步驟：
制絨，磷擴(kuò)散，激光摻雜，背面刻蝕拋光和去PSG，熱氧化退火，背面沉積疊層鈍化膜以及正面沉積SiNx薄膜，背面激光開(kāi)槽，絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)，其中通過(guò)制絨和背面刻蝕去除小片硅片制備過(guò)程中存在的損傷層，通過(guò)熱氧化退火，背面沉積疊層鈍化膜以及正面沉積SiNx薄膜提供介質(zhì)鈍化和H鈍化，降低小片電池橫斷面的少子復(fù)合。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
