[發明專利]顯示面板在審
| 申請號: | 201911172401.4 | 申請日: | 2019-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN111261672A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 樸賢愛;金才源;樸亨埈;安俊勇;嚴努力;尹一求;李知恩;張東玄;趙乘漢;趙準永 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艷芳;康泉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 | ||
1.一種顯示面板,包括:
基板,包括開口區域、圍繞所述開口區域的顯示區域、位于所述開口區域與所述顯示區域之間的第一非顯示區域以及位于所述顯示區域外部的第二非顯示區域;
在所述顯示面板的平面圖中位于相對于所述開口區域的第一側的第一數據線;
第一掃描線;
第二掃描線;
電連接到所述第一數據線和所述第一掃描線中的每條的第一像素;
電連接到所述第一數據線和所述第二掃描線中的每條的第二像素;
電連接到所述第一像素的第一發射控制線;
位于所述第一非顯示區域上的第一連接部;
電連接到所述第二像素并且通過所述第一連接部電連接到所述第一發射控制線的第二發射控制線;以及
位于所述第二非顯示區域上并且被配置為將發射控制信號同時提供到所述第一發射控制線和所述第二發射控制線的第一發射控制驅動器。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,進一步包括:
在所述顯示面板的所述平面圖中位于相對于所述開口區域的第二側的第二數據線,其中所述開口區域位于所述第一數據線與所述第二數據線之間;
電連接到所述第二數據線和所述第一掃描線中的每條的第三像素;以及
電連接到所述第二數據線和所述第二掃描線中的每條的第四像素,
其中所述第二發射控制線電連接到所述第四像素并且包括第一發射控制繞行部,并且其中所述第一發射控制繞行部繞過所述開口區域。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,進一步包括:
包括第一數據繞行部的第三數據線,所述第一數據繞行部繞過所述開口區域并且位于所述第一非顯示區域上;以及
包括第二數據繞行部的第四數據線,所述第二數據繞行部繞過所述開口區域并且位于所述第一非顯示區域上,
其中所述第一發射控制繞行部被設置在所述第一數據繞行部與所述第二數據繞行部之間。
4.根據權利要求2所述的顯示面板,進一步包括:具有第一接觸孔的第一絕緣層,其中所述第二發射控制線進一步包括第一像素連接部,并且其中所述第一發射控制繞行部通過所述第一接觸孔連接到所述第一像素連接部,并且通過所述第一像素連接部電連接到所述第二像素。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,進一步包括:具有第二接觸孔的第二絕緣層,并且其中所述第一發射控制繞行部通過所述第二接觸孔連接到所述第一像素連接部。
6.根據權利要求2所述的顯示面板,進一步包括:與所述第一發射控制繞行部緊鄰的第二發射控制繞行部,沒有中間發射控制繞行部位于所述第一發射控制繞行部與所述第二發射控制繞行部之間,其中所述第一發射控制繞行部和所述第二發射控制繞行部分別直接接觸不同的絕緣層。
7.根據權利要求2所述的顯示面板,進一步包括:第一絕緣層,其中所述第二發射控制線進一步包括第一像素連接部,并且其中所述第一發射控制繞行部通過所述第一像素連接部電連接到所述第二像素,并且其中所述第一發射控制繞行部和所述第一像素連接部直接接觸所述第一絕緣層的同一面。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其中,所述第一發射控制繞行部的材料與所述第一像素連接部的材料相同。
9.根據權利要求2所述的顯示面板,進一步包括:
與所述第一發射控制線相對放置并且電連接到所述第三像素的第一對置發射控制線;以及
位于所述第二非顯示區域上并且被配置為將發射控制信號同時提供到所述第一對置發射控制線和所述第二發射控制線的第二發射控制驅動器。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其中,所述第一發射控制驅動器電連接到位于相對于所述開口區域的所述第一側的四條相鄰的發射控制線,并且其中所述第二發射控制驅動器電連接到位于相對于所述開口區域的所述第二側的四條相鄰的發射控制線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





