[發明專利]頂柵型氧化物陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 201911171971.1
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN110942995A
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 羅傳寶
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

本發明提供了一種頂柵型氧化物陣列基板及其制備方法，該陣列基板包括依次層疊設置的襯底、遮光層、緩沖層、有源層、刻蝕阻擋層、柵極絕緣層、柵極層、層間絕緣層、源漏極層、鈍化層、以及像素電極層；該制備方法通過在有源層上制備一層膜質與柵極絕緣層接近的氧化硅膜層作為刻蝕阻擋層，并將該刻蝕阻擋層和有源層一起進行圖案化處理，且之后刻蝕阻擋層又隨柵極絕緣層一起刻蝕，保留了有源層溝道區上的部分；借助于該刻蝕阻擋層的保護，避免了黃光和光刻膠剝離過程中藥劑對有源層的侵蝕或破壞，提高了氧化物有源層與柵極絕緣層的界面特性，進而提高了頂柵型氧化物陣列基板的性能。

技術領域

本申請涉及移動通信技術領域，具體涉及一種頂柵型氧化物陣列基板及其制備方法。

背景技術

頂柵型氧化物薄膜晶體管由于寄生電容小，光罩制程數量少，且柵極層和柵極絕緣層能保護有緣層的溝道區，在陣列基板中被廣泛應用。

頂柵型氧化物陣列基板的性能嚴重依賴于氧化物有源層與柵極絕緣層的界面特性。然而，在頂柵型氧化物陣列基板的制程中，光阻剝離液會對氧化物有源層產生侵蝕，造成氧化物有源層表面粗糙度的增加；同時，光阻黃光和剝離過程也會使得氧化物有源層的氧空位缺陷態增加，導致器件性能的下降；另外，氧化物有源層與涂覆于其上的光阻層黏附性差，極易出現氧化物有源層蝕刻后圖形缺失的問題。

因此，現有頂柵型氧化物陣列基板的制備工藝存在缺陷，需要改進。

發明內容

本發明提供一種頂柵型氧化物陣列基板及其制備方法，以緩解現有頂柵型氧化物陣列基板的制備工藝存在缺陷。

為解決以上問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明提供一種頂柵型氧化物陣列基板及其制備方法，包括：

在襯底上依次制備遮光層、緩沖層、有源層、以及刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述有源層；

圖案化處理所述刻蝕阻擋層和所述有源層，圖案化處理后得到的刻蝕阻擋層圖案，和圖案化處理后得到的有源層圖案相同；

在所述刻蝕阻擋層上沉積柵極絕緣層和柵極層，并對所述柵極層進行圖案化處理，對所述柵極絕緣層和所述刻蝕阻擋層進行圖案化處理；

對所述有源層裸露在外的區域進行離子摻雜，以形成摻雜區，未被摻雜的區域為溝道區，所述摻雜區和所述溝道區共同構成有源區；

在所述柵極層上依次制備層間絕緣層、源漏極層、鈍化層、以及像素定義層。

在本發明提供的制備方法中，所述刻蝕阻擋層的厚度為100～300埃米。

在本發明提供的制備方法中，制備所述刻蝕阻擋層的材料為氧化硅，制備所述柵極絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、或氧化硅和氮化硅的混合。

在本發明提供的制備方法中，所述圖案化處理所述刻蝕阻擋層和所述有源層的具體步驟包括：

在所述刻蝕阻擋層上制備光阻層；

分別對所述刻蝕阻擋層和所述有源層進行刻蝕；

去除所述光阻層。

在本發明提供的制備方法中，所述分別對所述刻蝕阻擋層和所述有源層進行刻蝕的具體步驟包括：

采用濕法刻蝕工藝，對所述刻蝕阻擋層進行刻蝕；

采用濕法刻蝕工藝，對所述有源層進行刻蝕。

在本發明提供的制備方法中，對所述刻蝕阻擋層進行刻蝕所采用的刻蝕液為氟化氫系刻蝕液，對所述有源層進行刻蝕所采用的刻蝕液為草酸系刻蝕液。

在本發明提供的制備方法中，所述對所述柵極層進行圖案化處理，對所述柵極絕緣層和所述刻蝕阻擋層進行圖案化處理的具體步驟包括：