[發(fā)明專利]一種基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911171738.3
• 申請日: 2019-11-26
• 公開（公告）號: CN110880632B
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設計）人: 程鈺間;王洪斌;寧靜;樊勇;張永鴻;林先其;趙明華;宋開軍;敬守釗;張波;何宗銳;陳其科
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01P1/20
• 分類號: H01P1/20;H01Q15/00
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 閆樹平

1.一種基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面，包括n個基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面單元，其中n＞1；其特征在于：所述基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面單元成矩陣排布；

所述頻率選擇表面單元包括從上往下依次層疊的第一金屬層、介質層以及第二金屬層；

所述第一金屬層呈正方形，其上刻蝕有方環(huán)縫隙，所述方環(huán)縫隙的中心與第一金屬層的中心重合，沿方環(huán)縫隙的內側與外側分別開設貫穿第一金屬層、介質層以及第二金屬層的金屬化通孔；

所述第二金屬層與第一金屬層結構完全相同，其上開設的方環(huán)縫隙和金屬化通孔均與第一金屬層上的方環(huán)縫隙和金屬化通孔上下垂直對準；

位于方環(huán)縫隙外側的金屬化通孔其連線平行于方環(huán)縫隙外環(huán)、且沿方環(huán)縫隙外環(huán)四邊設置，并與第一金屬層、第二金屬層共同構成基片集成波導腔；

單元結構中位于方環(huán)縫隙內側的金屬化通孔沿方環(huán)縫隙內環(huán)任意相鄰的兩邊設置、且所有的單元中位于方環(huán)縫隙內側的金屬化通孔位置一致，并與第一金屬層、第二金屬層共同構成四分之一?；刹▽еC振腔。

2.根據(jù)權利要求1所述的基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面，其特征在于：所述方環(huán)縫隙的外邊長l₁、內邊長l₂滿足以下關系：

其中，f₀為頻率選擇表面中心工作頻率，c₀為真空中光速，ε_r為介質基板的相對介電常數(shù)。

3.根據(jù)權利要求1所述的基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面，其特征在于：所述基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面中，相鄰的基于基片集成波導腔的寬帶寬角頻率選擇表面單元依次排布，距離為零。