[發明專利]存儲器及其形成方法

在審

• 申請號: 201911171490.0
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN111640750A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;張欽福
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有至少一有源區；

多條位線和多條絕緣線，形成在所述襯底上，并且所述位線和所述絕緣線相交以界定出第一分格陣列；

隔離層，形成在所述位線和所述絕緣線上，所述隔離層具有第二分格陣列圖形，所述隔離層的所述第二分格陣列的圖形與所述第一分格陣列的圖形位置對應，并且所述第二分格陣列中的各個第二分格與所述第一分格陣列中的各個第一分格上下連通，以構成節點接觸窗；以及，

節點接觸結構，填充在所述節點接觸窗中，并且所述節點接觸結構的頂表面高于所述位線和所述絕緣線的頂表面。

2.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述位線和所述絕緣線的頂表面齊平。

3.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述絕緣線包括沿著第一方向依次排布的多個絕緣段，所述位線沿著第二方向連續延伸；以及，所述絕緣段形成在相鄰的位線之間并沿著第一方向延伸，并使所述絕緣段的兩個端部分別連接至相鄰的位線，以利用所述絕緣段和相鄰的位線圍繞出所述第一分格。

4.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述隔離層包括：形成在所述位線的頂表面上的第一隔離部，以及形成在所述絕緣線的頂表面上的第二隔離部；

其中，所述第一隔離部在垂直于位線的延伸方向上的寬度尺寸小于所述位線的寬度尺寸，以及所述第二隔離部在垂直于絕緣線的延伸方向上的寬度尺寸小于所述絕緣線的寬度尺寸。

5.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述節點接觸結構包括第一接觸部和第二接觸部，所述第一接觸部填充在所述第一分格的底部，所述第二接觸部形成在所述第一接觸部的上方，并由所述第一分格向上填充至所述第二分格。

6.如權利要求5所述的存儲器，其特征在于，所述節點接觸結構還包括中間導電層，所述中間導電層覆蓋所述第一接觸部的頂表面，并且還覆蓋所述絕緣線的側壁和所述隔離層的側壁。

7.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述中間導電層的頂部和所述隔離層的頂部共平面。

8.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層覆蓋所述絕緣線的側壁，以及所述中間導電層覆蓋所述間隔絕緣層并向上連續延伸，以覆蓋所述隔離層的側壁。

9.如權利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述間隔絕緣層的頂部和所述絕緣線的頂部共平面。

10.如權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述第二接觸部填充在由所述中間導電層圍繞出的空間中，以使所述中間導電層包覆所述第二接觸部的底部和所述第二接觸部的側壁。

11.如權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器具有器件區和周邊區，以及所述至少一有源區形成在所述器件區中，所述周邊區形成在所述器件區的外側；以及，

在所述周邊區中形成有晶體管器件、層間介質層和導電插塞，所述層間介質層覆蓋所述晶體管器件的柵極結構的側壁和頂表面，所述導電插塞貫穿所述層間介質層，以和所述晶體管器件電性連接。

12.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述層間介質層包括第一層間介質層和第二層間介質層，所述第一層間介質層包覆所述柵極結構的側壁，并且所述第一層間介質層頂表面與所述位線的頂表面齊平，以及所述第二層間介質層覆蓋所述第一層間介質層的頂表面和所述柵極結構的頂表面，并且所述第二層間介質層的頂表面與所述隔離層的頂表面齊平。