[發明專利]一種電機驅動器及動力系統

有效

• 申請號: 201911167478.2
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號: CN111030550B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 封寧波;劉春陽
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H02P25/22
• 分類號: H02P25/22;H02P27/06;B60L15/00;B60L15/06
• 代理公司: 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 常忠良

1.一種電機驅動器，其特征在于，包括控制單元和至少兩個驅動電路：第一驅動電路和第二驅動電路；

所述第一驅動電路中功率器件的種類與所述第二驅動電路中功率器件的種類不同；所述第一驅動電路中功率器件的損耗大于所述第二驅動電路中功率器件的損耗，所述第一驅動電路中功率器件的耐流能力大于所述第二驅動電路中功率器件的耐流能力；

所述第一驅動電路，用于將對應的直流電源輸出的直流電逆變為交流電提供給電機的第一部分繞組；

所述第二驅動電路，用于將對應的直流電源輸出的直流電逆變為交流電提供給所述電機的第二部分繞組；

所述控制單元，用于確定所述電機的負載小于預設負載時，控制所述第一驅動電路停止工作，控制所述第二驅動電路工作；還用于確定所述電機的負載大于或等于所述預設負載時，控制所述第一驅動電路和所述第二驅動電路均工作；

其中，所述第一驅動電路中每一相的功率器件的種類相同；所述第二驅動電路中每一相的功率器件的種類相同。

2.根據權利要求1所述的驅動器，其特征在于，所述第一驅動電路的功率器件為絕緣柵雙極型晶體管IGBT；所述第二驅動電路的功率器件為寬禁帶半導體器件。

3.根據權利要求2所述的驅動器，其特征在于，所述寬禁帶半導體器件為以下任意一種：

碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管SiC-MOSFET和氮化鎵晶體管GaN。

4.根據權利要求3所述的驅動器，其特征在于，所述電機包括六相繞組，所述第一驅動電路為IGBT三相半橋驅動電路；所述第二驅動電路為SiC-MOSFET三相半橋驅動電路；

所述IGBT三相半橋驅動電路用于驅動所述電機中的三相繞組，所述SiC-MOSFET三相半橋驅動電路用于驅動所述電機中的另外三相繞組。

5.根據權利要求3所述的驅動器，其特征在于，所述電機包括六相繞組，所述第一驅動電路為IGBT三相半橋驅動電路；所述第二驅動電路為GaN三相半橋驅動電路；

所述IGBT三相半橋驅動電路用于驅動所述電機中的三相繞組，所述GaN三相半橋驅動電路用于驅動所述電機中的另外三相繞組。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的驅動器，其特征在于，

所述控制單元，還用于向所述第一驅動電路的功率器件發送第一組驅動信號，向所述第二驅動電路的功率器件發送第二組驅動信號；

所述第一組驅動信號的相位和所述第二組驅動信號的相位相差的角度范圍為0-180度。

7.根據權利要求6所述的驅動器，其特征在于，所述第一組驅動信號的相位和所述第二組驅動信號的相位相差90度。

8.根據權利要求1或2所述的驅動器，其特征在于，所述電機包括九相繞組，所述第一驅動電路的數目為兩個，所述第二驅動電路的數目為一個；

兩個所述第一驅動電路用于驅動所述電機中的六相繞組，一個所述第二驅動電路驅動所述電機中的其余三相繞組。

9.根據權利要求1或2所述的驅動器，其特征在于，還包括至少一個第三驅動電路；

所述第一驅動電路中功率器件的種類、所述第二驅動電路中功率器件的種類和所述第三驅動電路中功率器件的種類均不同。

10.根據權利要求9所述的驅動器，其特征在于，所述電機包括九相繞組，所述第一驅動電路、所述第二驅動電路和所述第三驅動電路的數目均為一個；

所述第一驅動電路、所述第二驅動電路和所述第三驅動電路分別用于驅動所述電機中不同的三相繞組。

11.根據權利要求1所述的驅動器，其特征在于，還包括：濾波電容；

所述濾波電容的兩端連接在所述第一驅動電路的輸入端和第二驅動電路的輸入端。