[發明專利]空穴傳輸材料、其制備方法及有機發光二極管器件有效
| 申請號： | 201911164117.2 | 申請日： | 2019-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN111018874B | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 羅佳佳 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | C07D493/04 | 分類號： | C07D493/04;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人： | 何輝 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 空穴 傳輸 材料 制備 方法 有機 發光二極管 器件 | ||
1.一種空穴傳輸材料，其特征在于：所述空穴傳輸材料具有如下結構：
其中R選自以下取代基所組成的一族群：
以及
2.如權利要求1所述的空穴傳輸材料，其特征在于：所述空穴傳輸材料是
3.一種有機發光二極管器件，其特征在于：所述有機發光二極管器件從下至上依序包含：一透明導電層；一空穴注入層；一空穴傳輸層；一發光層；一電子傳輸層；一電子注入層以及一半透明電極；
其中所述空穴傳輸層包含如權利要求1所述的空穴傳輸材料。
4.如權利要求3所述的有機發光二極管器件，其特征在于：所述透明導電層包含一基板及一全反射層。
5.如權利要求3所述的有機發光二極管器件，其特征在于：所述發光層的厚度為15至20納米；所述空穴傳輸層的厚度為40至50納米；以及所述電子傳輸層的厚度為30至40納米。
6.如權利要求3所述的有機發光二極管器件，其特征在于：所述有機發光二極管器件具有一最高電流效率為130至150cd/A。
7.一種空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于；所述制備方法包含下列步驟：
(1)在一反應容器中置入一第一反應物及一第二反應物，其中所述第一反應物具有分子結構如下式(A)，所述第二反應物具有分子結構如下式(B)：
H-R......................(B)；
(2)將醋酸鈀、三叔丁基膦四氟硼酸鹽以及叔丁醇鈉加入所述反應容器；以及
(3)在一惰性氣體中加入除水甲苯，同時加熱至120℃以上以進行反應產出一空穴傳輸材料，所述空穴傳輸材料具有如下結構式(I)：
其中X是F、Cl或Br；R選自以下取代基所組成的一族群：
以及
8.如權利要求7所述的空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于：所述惰性氣體是氬氣。
9.如權利要求7所述的空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于：所述X是Br，且所述第一反應物是
10.如權利要求7所述的空穴傳輸材料的制備方法，其特征在于：所述空穴傳輸材料是
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