[發明專利]抗靜電聚酯組合物及其制備方法、聚酯薄膜

在審

• 申請號: 201911164106.4
• 申請日: 2019-11-25
• 公開（公告）號: CN112831042A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 左文艷;祁華;望月克彥
• 申請（專利權）人: 東麗纖維研究所（中國）有限公司
• 主分類號: C08G63/688
• 分類號: C08G63/688;C08G63/692;C08J5/18;C08L67/02
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本發明公開了一種抗靜電聚酯組合物及其制備方法。所述抗靜電聚酯組合物主要由芳香族二元羧酸單元和脂肪族二元醇單元構成，其中含有磺酸堿金屬鹽RSO₃M，如式1所示結構單元，銻催化劑、鈦催化劑、鍺催化劑、鋁催化劑中的至少一種，以及小分子量堿金屬化合物D。該聚酯組合物具有優良、穩定、持久的抗靜電性能，耐熱性高，異物含量低，在空氣氛圍下300℃熔融熱處理生成的甲醛及乙醛少。含有該抗靜電聚酯組合物的聚酯薄膜抗靜電性優良、透明性好。式1。

技術領域

本發明涉及一種抗靜電性優良、熱處理后分解氣體少的抗靜電聚酯組合物及其制備方法，和由該抗靜電聚酯組合物制備得到的抗靜電性優良、透明性好的聚酯薄膜。

背景技術

聚酯薄膜因為優良的透明性、尺寸穩定性、機械特性、耐熱性，電絕緣性、耐藥性等，在包裝材料、光學材料、磁性材料等很多的領域都有著廣泛的應用，擁有很大的市場。

普通聚酯薄膜的表面比電阻為10¹⁴～10¹⁶Ω/□，因摩擦、接觸等很容易產生靜電。因為靜電的問題，導致薄膜在加工時走形性不良，或者作為制品使用時周圍的灰塵容易吸附在薄膜的表面上等問題的發生。而且因為普通聚酯薄膜的表面比電阻高，薄膜表面上帶上的靜電荷不能馬上釋放，這限制了聚酯薄膜在一些對抗靜電性要求比較高的領域的應用。

由于上述問題的存在，目前本領域技術人員提出了一些提高聚酯薄膜抗靜電性的解決方案。提高抗靜電性方案之一，如在成型的薄膜上涂上抗靜電劑，以此達到抗靜電的目的。例如日本專利文件特開平5-1164、特開平8-143691、特開2008-81551中都公開了在薄膜上涂布陽離子型抗靜電劑的技術，特別是以4級銨為代表的陽離子型抗靜電劑，能達到很好的抗靜電性能，但是這種方法對生產的要求比較高，且長時間的使用抗靜電劑會從涂布層中脫落導致抗靜電性能變差。方案之二，在聚酯中添加界面活性劑或聚醚類化合物作為抗靜電劑以此達到抗靜電目的。例如日本專利特開2003-3058、特開2009-1618、特開平6-79778中都公開了添加界面活性劑或聚醚類化合物的技術，界面活性劑以及聚醚類的一定量使用，不會損壞聚酯本來的物性，且在一定溫度濕度下達到一定的抗靜電性，但是聚醚類化合物作為抗電劑使用時，在制膜過程中聚醚類化合物易發生熱分解及熱氧分解，大量產生甲醛、乙醛等對人體有害的氣體，作業環境比較惡劣。而如果只是單純的采用界面活性劑，就會存在界面活性劑分散不良的問題，使聚酯薄膜的透明性不良。

發明內容

本發明的目的在于提供一種抗靜電性優良、異物少、在制膜過程中產生的分解氣體甲醛和乙醛比較少的聚酯組合物及其制備方法，以及一種抗靜電性優良、異物少，透明性好的聚酯薄膜。

本發明的技術解決方案：

一種聚酯組合物，主要由芳香族二元羧酸單元和脂肪族二元醇單元構成。該聚酯組成物中含有相對于聚酯組合物總量0.500～10.000wt%的磺酸堿金屬鹽RSO₃M；含有相對于聚酯組合物總量0.005～5.000wt%如式1所示結構單元；還含有銻催化劑、鈦催化劑、鍺催化劑、鋁催化劑中的至少一種；以及小分子量堿金屬化合物D，

式1，

所述磺酸堿金屬鹽RSO₃M中，R為碳原子數11～30的烷基、烷基苯或烷基萘，M為堿金屬Li、Na或K；

式1中X為氮元素或者磷元素，R₁、R₂、R₃、R₄分別為碳原子數為1～6的烷基或者碳原子數6～12的苯烷基；

聚酯組合物中小分子堿金屬化合物與催化劑金屬的摩爾比滿足式2，

小分子量堿金屬化合物D/催化劑中金屬元素A≥1.00 式2，

式2中催化劑中金屬元素A表示來自于催化劑的所有金屬元素總和。

所述小分子量堿金屬化合物D優選氫氧化鉀、氫氧化鈉、醋酸鋰、醋酸鈉中的一種或幾種。