[發(fā)明專利]一種籽晶的處理方法及其裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911161732.8
• 申請(qǐng)日: 2019-11-22
• 公開（公告）號(hào): CN111379026A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 匡怡君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海聯(lián)興商務(wù)咨詢中心
• 主分類號(hào): C30B29/36
• 分類號(hào): C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 北京市海問律師事務(wù)所 11792
• 代理人: 陳吉云;張占江

1.一種籽晶的處理方法，其特征在于，所述方法包括：

通過石墨膠將石墨紙粘接在籽晶的生長(zhǎng)面，所述石墨紙覆蓋所述籽晶的整個(gè)上表面；

將所述籽晶的下表面貼合石墨盤片；

將所述石墨盤片固定在支撐架中，并將所述支撐架放入坩堝內(nèi)上側(cè)；

高溫處理所述坩堝并通入處理氣體，使所述坩堝底部的原料升華，同時(shí)調(diào)節(jié)所述處理氣體的通入流速、處理壓力，直至所述籽晶背面與所述石墨盤片粘接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述原料是含硅源和碳源的化合物或氣體的混合物，所述原料的粒徑在50-500微米之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述處理氣體為氬氣和甲烷，通入所述氬氣的流速在1-500sccm，通入所述甲烷的流速在1-10sccm，所述處理壓力在1-600torr之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述高溫處理包括，在1600-2100攝氏度處理8-20小時(shí)。

5.一種籽晶的處理裝置，其特征在于，所述裝置包括石墨盤片、坩堝和支撐架，所述石墨盤片具有多個(gè)規(guī)則排列的通孔，所述支撐架至少包括支撐架壁和主體部分，其中主體部分由外到內(nèi)包括支撐臂、托架和中心空洞。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述石墨盤片至少包括盤片邊緣和凹槽，其中，所述多個(gè)通孔位于所述凹槽內(nèi)，所述通孔形狀是圓形或多邊形，并呈圓環(huán)狀規(guī)則分布排列或呈平行規(guī)則分布排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述凹槽的深度不高于籽晶的高度，所述凹槽的內(nèi)徑比籽晶的外徑大0.1-0.2mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述支撐架的所述托架的形狀與所述石墨盤片的所述盤片邊緣的形狀契合；所述支撐架的所述中心空洞直徑與所述石墨盤片的凹槽直徑相同，所述托架直徑與所述石墨盤片直徑相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求5-8任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述支撐臂為多層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述支撐臂上距支撐架壁的內(nèi)邊緣一定距離處設(shè)置有一圈通孔，用于氣體流通。