[發明專利]一種主動降噪聲學單元及發聲單體

在審

• 申請號: 201911159350.1
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN110958519A
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 趙勝剛
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: H04R1/10
• 分類號: H04R1/10;H04R3/04;H04R19/02
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 柳巖

1.一種主動降噪聲學單元，其特征在于，包括：

殼體；

基板，所述基板設置在殼體內，所述基板將殼體隔離為第一容置腔與第二容置腔；

所述第二容置腔與第一容置腔相連通，所述第二容置腔內設置有反饋麥克風，所述反饋麥克風被配置為用于拾取噪聲信號；

所述第一容置腔內設置有動鐵喇叭，所述動鐵喇叭能夠根據噪聲信號振動發聲。

2.根據權利要求1所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述動鐵喇叭包括音圈、磁鐵、鐵片、振膜及連接棒；所述磁鐵相對設置兩塊且兩塊磁鐵之間具有間隙，所述鐵片穿過所述音圈后插入到兩塊所述磁鐵之間的間隙處，所述連接棒的一端固定于所述鐵片、另一端固定于所述振膜。

3.根據權利要求2所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述殼體的一個側部在靠近所述振膜的位置處開設有出音口。

4.根據權利要求1所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述反饋麥克風包括電容式聲電轉換部件及信號處理元件，所述電容式聲電轉換部件與信號處理元件電連接且兩者均設置在基板上。

5.根據權利要求4所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述基板上與所述電容式聲電轉換部件相對應的位置處開設有聲孔，所述聲孔與第一容置腔相連通。

6.根據權利要求5所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述電容式聲電轉換部件為MEMS，所述信號處理元件為ASIC芯片。

7.根據權利要求6所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述MEMS成型有振膜和背極板，所述聲孔與MEMS內的背腔連通。

8.根據權利要求1所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述基板為PCB板。

9.根據權利要求1所述的主動降噪聲學單元，其特征在于，所述殼體包括第一殼體及第二殼體，所述第一殼體與基板圍合構成第一容置腔，所述第二殼體與基板圍合構成第二容置腔；所述基板與第一殼體一體成型，所述基板與第二殼體焊接或粘接在一起。

10.一種發聲單體，其特征在于，所述發聲單體包括外殼及設置在外殼內的如權利要求1-9中任一項所述的主動降噪聲學單元；所述外殼內部設置有相互連通的聲腔及出聲管，所述出聲管遠離聲腔的一端開設有出聲口；所述主動降噪聲學單元位于出聲管內，且所述主動降噪聲學單元的出音口朝向出聲口設置；或者所述主動降噪聲學單元位于聲腔內，所述主動降噪聲學單元的出音口朝向出聲口設置，且所述主動降噪聲學單元設置有出音口的側面位于聲腔與出聲管的交界位置處。