[發(fā)明專利]一種用于鈣鈦礦氣相生長的中間相及其制備方法與應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911157527.4
• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN111081880B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 庫治良;彭勇;黃福志;程一兵
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢理工大學(xué)
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
• 代理公司: 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 42231
• 代理人: 趙澤夏

1.一種用于鈣鈦礦氣相生長的中間相，其特征在于，所述用于鈣鈦礦氣相生長的中間相為B類氣氛與無機組分薄膜生成；所述B類氣氛為C₄H₉NH₃I與CH(NH₂)₂Cl的復(fù)合氣氛；

所述無機組分薄膜中的無機組分薄膜為PbI₂薄膜；所述用于鈣鈦礦氣相生長的中間相包括B類氣氛與無機組分薄膜生成非目標鈣鈦礦相或鈣鈦礦絡(luò)合相，所述中間相為FAPbCl_xI_3-x與FA₂PbCl₄鈣鈦礦中間相。

2.一種如權(quán)利要求1所述的用于鈣鈦礦氣相生長的中間相的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

步驟1、在基底上沉積無機組分形成無機組分薄膜；

步驟2、將步驟1所沉積的無機組分薄膜與B類氣氛反應(yīng)生成該用于鈣鈦礦氣相生長的中間相。

3.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1中所述無機組分薄膜沉積方法為蒸鍍、濺射、刮涂、噴墨打印、超聲噴霧中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2的反應(yīng)溫度為100～200℃；壓強范圍為0.01Pa～0.1MPa；反應(yīng)時間為20～60min。

5.一種有機-無機雜化鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于所述制備方法包括：

將權(quán)利要求1所述的用于鈣鈦礦氣相生長的中間相通入A類氣氛生成得到；

或者將無機組分薄膜同時通入B類氣氛與A類氣氛反應(yīng)生成得到；

所述A類氣氛為CH₃NH₃I、CH₃NH₃Br、CH(NH₂)₂I、CH(NH₂)₂Br中的至少一種。

6.如權(quán)利要求5所述有機-無機雜化鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜的制備方法，其特征在于，所述A類氣氛與所述B類氣氛的體積比為1：1～20。

7.權(quán)利要求1所述的用于鈣鈦礦氣相生長的中間相在制備有機-無

機雜化鈣鈦礦半導(dǎo)體薄膜上的用途。