[發明專利]一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構有效
| 申請號： | 201911157455.3 | 申請日： | 2019-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN111025473B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 趙復生;王碩;李靜婷;趙俊洋 | 申請（專利權）人： | 纖瑟（天津）新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/136 | 分類號： | G02B6/136;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京棘龍知識產權代理有限公司 11740 | 代理人： | 戴麗偉 |
| 地址： | 300000 天津市濱海新區開*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 固體 波導 swg 之間 建立 耦合 結構 | ||
1.一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述SWG波導包括硅波導核心層、SiO2襯底及SiO2上覆層，所述耦合結構包括第一結構和第二結構，所述第一結構為絕熱錐形結構；
所述第一結構與固體波導耦合，所述第二結構利用CMOS工藝多層刻蝕技術，引入厚度維度結構變化，實現第二結構到SWG波導耦合時平滑的填充因子轉換；
所述SWG波導的填充因子為50％，周期為400nm。
2.根據權利要求1所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述硅波導核心層的厚度為220nm，SiO2襯底的厚度為3μm，SiO2上覆層的厚度為2μm。
3.根據權利要求1所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述SWG波導的適用于波長為1.55μm的光。
4.根據權利要求1所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述SWG波導的寬度小于350nm。
5.根據權利要求4所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述SWG波導的寬度為300nm。
6.根據權利要求1所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述絕熱錐形結構的長度為5μm，填充因子為100％，寬度為450-300nm。
7.根據權利要求1所述的一種用于在固體波導和SWG波導之間建立耦合的耦合結構，其特征在于：所述第二結構的填充因子為100％-50％，寬度為300nm，周期為400nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于纖瑟（天津）新材料科技有限公司，未經纖瑟（天津）新材料科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911157455.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：紅薯粉精加工用細粉末提純設備
- 下一篇：一種三開門不銹鋼純電動客車底盤
