[發明專利]剝離裝置在審
| 申請號: | 201911157279.3 | 申請日: | 2019-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN112838022A | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 林雅雯;李威震 | 申請(專利權)人: | 辛耘企業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;秦小耕 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 剝離 裝置 | ||
一種剝離裝置,適用于將相貼合的保護片及基板分離,該剝離裝置包含吸附機構及驅動機構。吸附機構包括承載模塊、第一吸引模塊及第二吸引模塊。承載模塊具有載座及連接件。第一吸引模塊設于載座且靠近連接件處并用以真空吸附于該保護片的靠近邊緣處。第二吸引模塊與第一吸引模塊相間隔而較遠離連接件。驅動機構包括機座、線性移動元件及連動件。線性移動元件設于機座且在一傾斜方向延伸。連動件與連接件固定連接且可受線性移動元件驅動沿傾斜方向往復移動,并帶動吸附機構沿傾斜方向移動,而能將保護片自邊緣處開始逐步與基板分離,如此能大幅降低該保護片碎裂及該基板受損的風險。
技術領域
本發明涉及一種剝離裝置,特別是涉及一種用于半導體制程中的剝離裝置。
背景技術
在半導體制程中,有些基板需要在背面貼合一玻璃制的保護片,以在制程中強化基板,防止基板碎裂。當制程完成后需要將保護片與基板剝離。
然而,由于保護片為玻璃制成,本身也是易碎材質,目前在將保護片與基板剝離的制程中,常會遭遇保護片碎裂而不易與基板分離,或是導致基板破碎的情形,不論保護片碎裂或是基板碎裂都會使已完成制程的基板報廢,而使前功盡棄、浪費成本。
發明內容
本發明的其中一目的在于提供一種能夠降低在剝離過程中基板受損的風險的剝離裝置。
本發明的剝離裝置在一些實施態樣中,是適用于將相貼合的保護片及基板分離,該剝離裝置包含吸附機構及驅動機構。該吸附機構包括承載模塊、第一吸引模塊及第二吸引模塊。該承載模塊具有載座及連接件,該載座水平設置且具有端部,該連接件連接于該端部的上表面。該第一吸引模塊設于該載座且靠近該連接件處,并具有位于該載座下方的第一吸盤組件,該第一吸盤組件用以真空吸附于該保護片的靠近邊緣處。該第二吸引模塊設于該載座且與該第一吸引模塊相間隔而較遠離該連接件,并具有位于該載座下方的第二吸盤組件,該第二吸盤組件用以與該第一吸盤組件共同真空吸附于該保護片。該驅動機構包括機座、線性移動元件及連動件。該機座可受操作地在上下方向移動。該線性移動元件設于該機座且在相對于該上下方向傾斜的傾斜方向延伸。該連動件與該連接件固定連接且能受該線性移動元件驅動沿該傾斜方向往復移動,并帶動該吸附機構沿該傾斜方向移動。
在一些實施態樣中,該第一吸引模塊還具有設于該載座的支撐組件,該支撐組件沿該上下方向延伸設置且底端與該第一吸盤組件連接,該支撐組件與該第一吸盤組件之間以球窩關節結構連接而使該第一吸盤組件能微幅擺動,該第二吸引模塊的結構與該第一吸引模塊相同。
在一些實施態樣中,該第一吸盤組件具有吸盤座及位于該吸盤座內的內盤體以共同界定氣體流動空間,該吸盤座具有安裝槽,該安裝槽自該吸盤座的上表面往下延伸且逐漸擴大呈半球狀,該支撐組件具有位于底端的承托件,該承托件穿設于該安裝槽且具有與界定該安裝槽的弧形壁面相配合的弧形表面,而使該承托件與該吸盤座共同形成球窩關節結構。
在一些實施態樣中,該支撐組件還具有固定于該載座的襯套、可在該上下方向滑動地穿設于該襯套的主桿體、夾置于該主桿體底端與該承托件頂端之間的壓蓋,及套設于該主桿體且抵于該襯套與該壓蓋之間的彈性件。
在一些實施態樣中,該支撐組件還具有套設于該承托件且夾置于該壓蓋與該吸盤座之間的彈性墊圈。
在一些實施態樣中,該支撐組件還具有連接于該主桿體頂端的受感測頭,該受感測頭具有小徑部及較該小徑部側向凸出的大徑部,該第一吸引模塊還具有設于該載座且位于該受感測頭側邊的位置檢知器,該位置檢知器具有檢測位置且用以判斷該小徑部和該大徑部何者位于該檢測位置。
在一些實施態樣中,該第一吸盤組件還具有設于該吸盤座底面的氣密墊圈。
在一些實施態樣中,該第二吸引模塊、該第一吸引模塊與該保護片的中心共線。
在一些實施態樣中,該第二吸引模塊位于用以對應吸附該保護片中心的位置。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





