[發(fā)明專利]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

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• 申請日: 2019-11-22
• 公開（公告）號: CN110854085A
• 公開（公告）日: 2020-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姚大平
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇中科智芯集成科技有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250
• 代理人: 張琳琳

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

待封裝芯片，具有多個焊盤；

硅基介質(zhì)層，設(shè)置于所述待封裝芯片的器件面上；所述硅基介質(zhì)層內(nèi)開設(shè)有與所述焊盤相對應(yīng)的第一凹槽，所述焊盤通過所述第一凹槽顯露于所述硅基介質(zhì)層外；

與所述焊盤一一對應(yīng)的延伸焊盤，所述延伸焊盤填充所述第一凹槽并延伸至所述硅基介質(zhì)層外，所述延伸焊盤與所述焊盤相耦合；所述延伸焊盤遠(yuǎn)離所述第一凹槽的槽底的端部的橫截面積大于或小于所述第一凹槽的槽底面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述延伸焊盤的縱向截面為梯形，且所述延伸焊盤遠(yuǎn)離所述第一凹槽的槽底的端部的橫截面積大于所述第一凹槽的槽底面積。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述延伸焊盤的縱向截面為凸形，所述延伸焊盤的橫截面積自所述延伸焊盤開始延伸至所述硅基介質(zhì)層外的位置處減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

填充介質(zhì)層，設(shè)置于所述硅基介質(zhì)層上，用以填充所述延伸焊盤之間的間隙。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述延伸焊盤通過導(dǎo)電粘附與金屬種子層與所述對應(yīng)的焊盤相耦合。

6.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供待封裝芯片；所述待封裝芯片具有多個焊盤；

在所述待封裝芯片的器件面上設(shè)置硅基介質(zhì)層；

在所述硅基介質(zhì)層內(nèi)開設(shè)與所述焊盤相對應(yīng)的第一凹槽，用以顯露出所述焊盤；

在所述第一凹槽內(nèi)填充延伸焊盤，并使得所述延伸焊盤延伸至所述硅基介質(zhì)層外；所述延伸焊盤與所述焊盤相耦合；所述延伸焊盤遠(yuǎn)離所述第一凹槽的端部的橫截面積大于或小于所述第一凹槽的槽底面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述在所述硅基介質(zhì)層內(nèi)開設(shè)與所述焊盤相對應(yīng)的第一凹槽，用以顯露出所述焊盤的步驟，包括：

在所述硅基介質(zhì)層上形成第一延伸介質(zhì)層；

在所述硅基介質(zhì)層和所述第一延伸介質(zhì)層內(nèi)形成縱向截面為梯形的凹槽；所述凹槽處于所述硅基介質(zhì)層中的部分為所述第一凹槽；所述延伸焊盤設(shè)置于所述凹槽內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽內(nèi)填充延伸焊盤，并使得所述延伸焊盤延伸至所述硅基介質(zhì)層外的步驟，包括：

去除所述第一延伸介質(zhì)層；

在所述硅基介質(zhì)層以及所述焊盤上形成導(dǎo)電粘附與金屬種子層；

在所述導(dǎo)電粘附與金屬種子層上形成第二延伸介質(zhì)層；

在所述第二延伸介質(zhì)層中形成與所述第一凹槽相對應(yīng)的縱向截面為梯形的第二凹槽，用以顯露所述第一凹槽側(cè)壁和底部的導(dǎo)電粘附與金屬種子層；

在所述第一凹槽內(nèi)的導(dǎo)電粘附與金屬種子層上以及所述第二凹槽層內(nèi)形成填充所述第一凹槽和所述第二凹槽的所述延伸焊盤；

去除所述第二延伸介質(zhì)層以及所述第二延伸介質(zhì)層被去除后顯露的導(dǎo)電粘附與金屬種子層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片封裝方法，其特征在于，所述在所述第一凹槽內(nèi)填充延伸焊盤，并使得所述延伸焊盤延伸至所述硅基介質(zhì)層外的步驟，包括：

在所述第一凹槽內(nèi)設(shè)置第一延伸焊盤部；

在所述硅基介質(zhì)層以及所述第一延伸焊盤部上設(shè)置第三延伸介質(zhì)層；

在所述第三延伸介質(zhì)層內(nèi)形成與所述第一延伸焊盤部相對應(yīng)的第三凹槽；所述第三凹槽的槽底面積小于所述第一凹槽的槽底面積；

在所述第三凹槽內(nèi)設(shè)置第二延伸焊盤部；所述第二延伸焊盤部與所述第一延伸焊盤部相耦合；

去除所述第三延伸介質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求6-9任一項所述的芯片封裝方法，其特征在于，還包括：

在所述硅基介質(zhì)層上制備延伸介質(zhì)層，用以填充所述延伸焊盤之間的間隙。