[發(fā)明專利]發(fā)射裝置、接收裝置及充電組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911151837.5 | 申請日: | 2019-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN110932414B | 公開(公告)日: | 2021-11-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張偉;劉恒 | 申請(專利權(quán))人: | 歌爾股份有限公司 |
| 主分類號: | H02J50/10 | 分類號: | H02J50/10;H02J50/70;H02J7/00 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射 裝置 接收 充電 組件 | ||
1.一種發(fā)射裝置,用于與充電組件的接收裝置配合,其特征在于,所述發(fā)射裝置包括:
殼體,設(shè)有容置槽和過孔,所述容置槽具有相連接的底壁和側(cè)壁,所述底壁與所述側(cè)壁呈L型,所述過孔設(shè)于所述容置槽的底壁,并鄰近所述容置槽的側(cè)壁設(shè)置,所述過孔呈環(huán)形過孔或所述過孔包括多個間隔設(shè)置的弧形孔;
第一線圈模組,設(shè)于所述容置槽內(nèi),所述第一線圈模組呈環(huán)形設(shè)置,并形成有內(nèi)環(huán),所述過孔對應(yīng)所述內(nèi)環(huán)的邊緣設(shè)置;及
第一導(dǎo)磁部,所述第一導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置或所述第一導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述第一導(dǎo)磁部設(shè)于所述過孔內(nèi),并與所述第一線圈模組的內(nèi)側(cè)邊緣連接,所述第一導(dǎo)磁部用于引導(dǎo)所述第一線圈模組的磁感線至所述接收裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射裝置,其特征在于,所述第一線圈模組包括層疊設(shè)置的第一線圈和第一屏蔽件,所述第一線圈設(shè)于所述第一屏蔽件和所述容置槽的底壁之間,所述第一導(dǎo)磁部設(shè)于所述過孔內(nèi),并與所述第一屏蔽件的內(nèi)側(cè)邊緣連接。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)射裝置,其特征在于,所述第一導(dǎo)磁部與所述第一屏蔽件為一體成型結(jié)構(gòu);
且/或,所述第一導(dǎo)磁部與所述第一屏蔽件的橫截面呈L型;
且/或,所述第一導(dǎo)磁部穿過所述過孔的一端與所述殼體背向所述容置槽的表面齊平;
且/或,所述第一導(dǎo)磁部為磁條、鐵氧體、納米晶或非晶;
且/或,所述第一導(dǎo)磁部的材質(zhì)為磁導(dǎo)率高且電導(dǎo)率小的材料。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)射裝置,其特征在于,所述第一導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置,所述過孔呈環(huán)形過孔;
或,所述第一導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述過孔包括多個弧形孔,每一所述弧形段設(shè)于一所述弧形孔內(nèi),并與所述第一線圈模組連接。
5.一種接收裝置,用于與充電組件的發(fā)射裝置配合,其特征在于,所述接收裝置包括:
外殼,設(shè)有安裝槽和通孔,所述安裝槽具有相連接的底壁和側(cè)壁,所述底壁與所述側(cè)壁呈L型,所述通孔設(shè)于所述安裝槽的底壁,并鄰近所述安裝槽的側(cè)壁設(shè)置,所述通孔呈環(huán)形通孔或所述通孔包括多個間隔設(shè)置的弧形孔;
第二線圈模組,設(shè)于所述安裝槽內(nèi),所述第二線圈模組呈環(huán)形設(shè)置,并形成有內(nèi)環(huán),所述通孔對應(yīng)所述內(nèi)環(huán)的邊緣設(shè)置;及
第二導(dǎo)磁部,所述第二導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置或所述第二導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述第二導(dǎo)磁部設(shè)于所述通孔內(nèi),并與所述第二線圈模組的內(nèi)側(cè)邊緣連接,所述第二導(dǎo)磁部用于引導(dǎo)所述發(fā)射裝置的磁感線至所述第二線圈模組。
6.如權(quán)利要求5所述的接收裝置,其特征在于,所述第二線圈模組包括層疊設(shè)置的第二線圈和第二屏蔽件,所述第二線圈設(shè)于所述第二屏蔽件和所述安裝槽的底壁之間,所述第二導(dǎo)磁部設(shè)于所述通孔內(nèi),并與所述第二屏蔽件的內(nèi)緣連接。
7.如權(quán)利要求6所述的接收裝置,其特征在于,所述第二導(dǎo)磁部與所述第二屏蔽件為一體成型結(jié)構(gòu);
且/或,所述第二導(dǎo)磁部與所述第二屏蔽件的橫截面呈L型;
且/或,所述第二導(dǎo)磁部穿過所述通孔的一端與所述外殼背向所述安裝槽的表面齊平;
且/或,所述第二導(dǎo)磁部為磁條、鐵氧體、納米晶或非晶;
且/或,所述第二導(dǎo)磁部的材質(zhì)為磁導(dǎo)率高且電導(dǎo)率小的材料。
8.如權(quán)利要求5至7中任一項(xiàng)所述的接收裝置,其特征在于,所述第二導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置,所述通孔呈環(huán)形通孔;
或,所述第二導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述通孔包括多個弧形孔,每一所述弧形段設(shè)于一所述弧形孔內(nèi),并與所述第二線圈模組連接。
9.一種充電組件,其特征在于,包括發(fā)射裝置和與所述發(fā)射裝置相配合的接收裝置;
所述發(fā)射裝置包括殼體、第一線圈模組及第一導(dǎo)磁部,所述殼體設(shè)有容置槽和過孔,所述容置槽具有相連接的底壁和側(cè)壁,所述底壁與所述側(cè)壁呈L型,所述過孔設(shè)于所述容置槽的底壁,并鄰近所述容置槽的側(cè)壁設(shè)置,所述過孔呈環(huán)形過孔或所述過孔包括多個間隔設(shè)置的弧形孔,所述第一線圈模組設(shè)于所述容置槽內(nèi),所述第一線圈模組呈環(huán)形設(shè)置,并形成有內(nèi)環(huán),所述過孔對應(yīng)所述內(nèi)環(huán)的邊緣設(shè)置;所述第一導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置或所述第一導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述第一導(dǎo)磁部設(shè)于所述過孔內(nèi),并與所述第一線圈模組的內(nèi)側(cè)邊緣連接;
所述接收裝置包括外殼、第二線圈模組及第二導(dǎo)磁部,所述外殼設(shè)有安裝槽和通孔,所述安裝槽具有相連接的底壁和側(cè)壁,所述底壁與所述側(cè)壁呈L型,所述通孔設(shè)于所述安裝槽的底壁,并鄰近所述安裝槽的側(cè)壁設(shè)置,所述通孔呈環(huán)形通孔或所述通孔包括多個間隔設(shè)置的弧形孔,所述通孔與所述過孔對應(yīng)設(shè)置;所述第二線圈模組設(shè)于所述安裝槽內(nèi),所述第二線圈模組呈環(huán)形設(shè)置,并形成有內(nèi)環(huán),所述通孔對應(yīng)所述內(nèi)環(huán)的邊緣設(shè)置;所述第二導(dǎo)磁部呈環(huán)狀設(shè)置或所述第二導(dǎo)磁部包括多個弧形段,所述第二導(dǎo)磁部設(shè)于所述通孔內(nèi),并與所述第二線圈模組的內(nèi)側(cè)邊緣連接;
所述發(fā)射裝置與所述接收裝置配合時,所述殼體與所述外殼抵接,且所述第一導(dǎo)磁部與所述第二導(dǎo)磁部抵接。
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