[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體芯片的制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201911150767.1
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN112028012A
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張顯良;趙洪波;李志超
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81C3/00;H03H3/02
• 代理公司: 北京思創(chuàng)大成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，步驟包括提供晶圓，晶圓上形成有膜層；提供第一精細金屬掩模版，將第一精細金屬掩模版與膜層臨時鍵合；以第一精細金屬掩模版為掩模，刻蝕膜層，形成第一功能層和第二功能層；將第一精細金屬掩模版與功能層解鍵合。本發(fā)明通過臨時鍵合精細金屬掩模版作為掩模，刻蝕膜層，形成厚度不同的功能層，刻蝕完畢進行解鍵合工藝。由于避免了通常的光刻膠掩模、剝離光刻膠，而引發(fā)功能層損傷，臨時鍵合精細金屬掩模版做掩模，功能層損傷小，提高器件性能。該精細金屬掩模版解鍵合后可繼續(xù)用于其他晶圓功能層的掩膜，重復(fù)利用，大大降低的制程成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片的制造方法。

背景技術(shù)

隨著4G/5G應(yīng)用的普及，消費者對電子產(chǎn)品功能多樣化需求大大提高。MEMS器件作為一種復(fù)雜性的元件，用來實現(xiàn)更多功能，在消費類電子應(yīng)用中起著重要作用。濾波器作為一種選頻元件，用來抑制噪聲、選擇或限定RF/微波信號的頻段范圍，在許多RF/微波應(yīng)用中起著重要的作用。

傳統(tǒng)的MEMS/濾波器體積大、制造成本高，并且不容易與單片集成電路集成，目前實現(xiàn)高性能、小尺寸、低成本的制造工藝，將進一步契合消費者的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，在提高芯片性能的同時，減小芯片尺寸、降低制造成本。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括步驟：

提供晶圓，所述晶圓上形成有膜層，所述膜層包括芯片尺寸的第一區(qū)域，和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域用于形成第一功能層，所述第二區(qū)域用于形成第二功能層；

提供第一精細金屬掩模版，將所述第一精細金屬掩模版與所述膜層臨時鍵合，所述第一精細掩膜版具有第一開口和第一遮擋部，所述第一開口定義所述第一功能層的區(qū)域，所述第一遮擋部定義第二功能層的區(qū)域；

以所述第一精細金屬掩模版為掩模，刻蝕所述膜層，形成第一功能層和第二功能層，所述第一功能層的厚度小于所述第二功能層的厚度；

將所述第一精細金屬掩模版與所述功能層解鍵合。

可選的，膜層包括體聲波諧振器的上電極材料層、下電極材料層或壓電材料層的一種或組合。

可選的，芯片尺寸范圍包括半導(dǎo)體芯片尺寸的0.8至1.2倍。

可選的，芯片尺寸的范圍大于或等于50μm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明通過臨時鍵合精細金屬掩模版作為掩模，刻蝕晶圓上膜層，形成厚度不同的功能層，刻蝕完畢進行解鍵合工藝。由于避免了通常的光刻膠掩模、剝離光刻膠，而引發(fā)功能層損傷，臨時鍵合精細金屬掩模版做掩模，功能層損傷小，提高器件性能。該精細金屬掩模版解鍵合后可繼續(xù)用于其他晶圓膜層的掩膜，重復(fù)利用，大大降低的制程成本。

通過臨時鍵合精細金屬掩模版作為掩模，對體聲波諧振器的上電極材料層、下電極材料層或壓電材料層做刻蝕，該功能層損傷小，提高體聲波諧振器性能；在一片晶圓上得到不同厚度的上電極、下電極或壓電層，厚度改變實現(xiàn)頻率改變，級聯(lián)若干個不同頻率的體聲波諧振器就可設(shè)計出滿足無線通信要求的射頻濾波器，級聯(lián)方式簡單，射頻濾波器制造尺寸小。

附圖說明

圖1是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片的制造方法流程圖；

圖2至圖6是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片的制造方法一實施例中各步驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片的制造方法一實施例中夾扣方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明半導(dǎo)體芯片的制造方法一實施例解鍵合后結(jié)構(gòu)示意圖；