[發明專利]一種偽柵移除的方法

有效

• 申請號: 201911150254.0
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN110854023B
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 林健;洪波
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 王煥

1.一種偽柵移除的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01：在襯底結構上形成偽柵結構；

步驟S02：降低所述襯底結構上的所述偽柵結構的高度；

步驟S03：對所述偽柵進行干法刻蝕，去除部分偽柵結構，形成凹槽結構；

步驟S04：對所述凹槽結構中暴露出的所述偽柵結構進行氧化處理；

步驟S05：去除所述偽柵結構表面的氧化物層；

步驟S06：清洗所述凹槽結構中的所述偽柵結構的表面；

步驟S07：在低真空環境下采用濕法刻蝕去除剩下的所述偽柵結構，所述濕法刻蝕的溶液中添加有氣泡釋放劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述偽柵結構的材料為多晶硅。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S02中通過使用化學機械拋光工藝降低所述偽柵的高度，并且通過所述拋光工藝去除的偽柵高度為原始偽柵高度的10％～20％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S03中的所述干法刻蝕為RIE刻蝕，并且形成凹槽結構的深度為所述降低高度后的偽柵高度的10％-40％。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S04中，采用臭氧對所述凹槽結構中暴露出的所述偽柵結構進行氧化處理，采用的所述臭氧為純度在99.9％以上的高純度臭氧，所述氧化處理時臭氧的流量為50SCCM至150SCCM，處理時間為5至15分鐘。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S04中，采用強氧化性的酸性溶液對所述凹槽結構中暴露出的所述偽柵結構進行氧化處理，所述強氧化性的酸性溶液為質量分數98％的H₂SO₄和質量分數30％的H₂O₂雙氧水按照體積比1:3-1:7的比例進行配置，在40-60℃下執行1到5分鐘的處理。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S05中，采用稀釋的氫氟酸溶液去除所述偽柵結構表面的氧化物層，所述氫氟酸溶液為質量濃度1％到2％的氫氟酸稀釋液，在20-30℃執行10至20秒的處理。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S06中，采用去離子水清洗凹槽結構中的所述偽柵結構的表面，然后使用Ar或N₂氣體吹干所述偽柵結構表面，或者在惰性氣體氛圍下在干燥箱中使所述偽柵結構的表面干燥。

9.根據權利要求1所述的方法，其征在于，所述步驟S07中，所述濕法刻蝕的溶液為四甲基氫氧化銨、氨水、四乙基氫氧化銨中的一種，所述濕法刻蝕溶液的質量濃度為6％-10％；所述氣泡釋放劑為異丙醇或乙醇試劑，添加的氣泡釋放劑的質量濃度為85％-90％，并且所述氣泡釋放劑與所述濕法刻蝕液按照體積比1:7-1:10進行配比，并在50-70℃下進行濕法刻蝕。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述低真空環境的氣壓值為5mTorr至50mTorr。