[發(fā)明專利]制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備

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• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN110747446A
• 公開（公告）日: 2020-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧賢政;陳麒麟;李時俊;張勇
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市捷佳偉創(chuàng)新能源裝備股份有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;H01L31/18
• 代理公司: 44247 深圳市康弘知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 林偉敏

1.一種制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：至少包括第一鍍膜腔（1）和第二鍍膜腔（2）、橫穿第一和第二鍍膜腔的用于傳輸太陽能電池板的傳輸帶（3），第一和第二鍍膜腔內(nèi)分別設(shè)有鍍膜源，當(dāng)太陽能電池板依次穿過第一和第二鍍膜腔時，所述鍍膜源對太陽能電池板雙面鍍制透明導(dǎo)電氧化物薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述第一鍍膜腔（1）和第二鍍膜腔（2）之間設(shè)有用以消除粉塵的除塵腔（12）。

3.如權(quán)利要求2所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述第一鍍膜腔內(nèi)，鍍膜源位于傳輸帶上方；所述第二鍍膜腔內(nèi)，鍍膜源位于傳輸帶下方。

4.如權(quán)利要求3所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述鍍膜設(shè)備中同時集成有三個鍍膜腔或以上時，鍍膜源位于傳輸帶上方的鍍膜腔，排列在鍍膜源位于傳輸帶下方的鍍膜腔前方。

5.如權(quán)利要求2所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述除塵腔（12）在連接第一鍍膜腔（1）和第二鍍膜腔（2）處設(shè)有電動隔板，以便將第一鍍膜腔、除塵腔、第二鍍膜腔分割成各自獨立的腔室；除塵腔內(nèi)部、且位于所述傳輸帶（3）的上方設(shè)有靜電除塵器（17）。

6.如權(quán)利要求5所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述除塵腔（12）頂部設(shè)有下氣流產(chǎn)生器（11），底部設(shè)有出氣端口（13）。

7.如權(quán)利要求6所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述除塵腔（12）內(nèi)部、且位于所述傳輸帶（3）的下方設(shè)有粉塵迷道（14）；在除塵腔的側(cè)壁上交錯伸出多塊隔板，構(gòu)成曲折的粉塵迷道。

8.如權(quán)利要求7所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述除塵腔（12）的底端設(shè)有粉塵集中腔（15），所述出氣端口（13）位于粉塵迷道（14）和粉塵集中腔（15）之間。

9.如權(quán)利要求8所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述除塵腔（12）的側(cè)壁上設(shè)有檢修門。

10.如權(quán)利要求4所述的制作雙面透明導(dǎo)電氧化物薄膜的鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述鍍膜源包括濺射鍍膜源及離子鍍膜源,所述濺射鍍膜源（4）采用靶材磁控濺射鍍膜源、直流濺射鍍膜源、交流濺射鍍膜源、交流脈沖濺射鍍膜源、射頻交流濺射鍍膜源中的一種；所述離子鍍膜源（5）采用反應(yīng)性等離子體沉積離子鍍膜源、電子束蒸鍍離子鍍膜源中的一種。