[發明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201911148619.6
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN111211057A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 梁泰勛;金基范;白種埈;蘇炳洙;李宗璨;鄭雄喜;鄭在祐
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 杜正國

公開了顯示裝置及其制造方法。顯示裝置包括基礎襯底、有源圖案和柵電極，位于基礎襯底上的有源圖案包括源區、漏區和摻雜在源區與漏區之間的溝道區，溝道區包括晶體硅，并且柵電極與有源圖案的溝道區重疊。溝道區可包括下部、上部和位于上部與下部之間的中間部，并且下部的摻雜劑密度可為上部的摻雜劑密度的80％或更多。

技術領域

示例實施方式涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。

背景技術

近來，已制造出重量輕且尺寸小的顯示裝置。陰極射線管(CRT)顯示裝置已經因性能和有競爭力的價格而被使用。然而，CRT顯示裝置具有尺寸或便攜性的弱點。因此，諸如等離子顯示裝置、液晶顯示裝置和有機發光顯示裝置的顯示裝置已經因尺寸小、重量輕和功耗低而備受推崇。

發明內容

實施方式涉及顯示裝置，包括基礎襯底、有源圖案和柵電極，位于基礎襯底上的有源圖案包括源區、漏區和摻雜在源區與漏區之間的溝道區，溝道區包括晶體硅，并且柵電極與有源圖案的溝道區重疊。溝道區可包括下部、上部和位于上部與下部之間的中間部，并且下部的摻雜劑密度可為上部的摻雜劑密度的80％或更多。

上部可為有源圖案的1/3厚度，并且下部可為有源圖案的1/3厚度。

有源圖案的溝道區的摻雜劑可包括硼、磷、氮、鎳和鈷中的一種或更多種。

有源圖案的溝道區的平均粒度可為270nm或更大。

根據有源圖案的溝道區的電子背散射衍射結果，(001)方向的分數可為33％或更大。

顯示裝置還可包括柵極絕緣層、層間絕緣層、源電極和漏電極，柵極絕緣層位于有源圖案與柵電極之間，層間絕緣層位于柵電極上，并且源電極和漏電極位于層間絕緣層上并且電連接到有源圖案。

顯示裝置還可包括通孔絕緣層、第一電極、發光層和第二電極，通孔絕緣層位于源電極和漏電極上，第一電極位于通孔絕緣層上并且電連接到漏電極，發光層位于第一電極上，并且第二電極位于發光層上。

實施方式也涉及顯示裝置的制造方法，該方法包括：在基礎襯底上形成非晶硅層；用雜質摻雜非晶硅層；通過用準分子激光器照射摻雜的非晶硅層來形成晶體硅層；對晶體硅層進行圖案化；以及在晶體硅層中形成源區和漏區，以形成包括源區、漏區和位于源區與漏區之間的溝道區的有源圖案。溝道區可包括下部、上部和位于上部與下部之間的中間部，并且下部的摻雜劑密度可為上部的摻雜劑密度的80％或更多。

在摻雜非晶硅層時，有源圖案的溝道區的摻雜劑可包括硼、磷、氮、鎳和鈷中的一種或更多種。

在摻雜非晶硅層時，摻雜劑的劑量可為0.4E12 at/cm²至1.5E12 at/cm²。

晶體硅層可滿足下式1：

式1

Y＝-0.075X+1.018nm

其中，Y是單位為納米的在摻雜劑的量的最大峰值處距晶體硅層的上表面的深度，并且X是單位為J/cm²的準分子激光器的激光密度。

在形成有源圖案時，摻雜的晶體硅層的源區和漏區還可摻雜有雜質以增加源區和漏區的導電性。

在形成有源圖案時用于形成源區和漏區的劑量可大于在摻雜非晶硅層時的劑量。

有源圖案的溝道區的平均粒度可為270nm或更大。

根據有源圖案的溝道區的電子背散射衍射結果，(001)方向的分數可為33％或更大。

該方法還可包括：在對晶體硅層進行圖案化之后，在圖案化的晶體硅層上形成柵極絕緣層；以及在柵極絕緣層上形成柵電極。在形成有源圖案時，雜質可摻雜到布置有柵電極的晶體硅層中以形成源區和漏區。