[發明專利]光刻層掩膜版的制備方法、離子注入方法

有效

• 申請號: 201911147979.4
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN110850677B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 丁麗華;齊雪蕊;何大權;魏芳;朱駿;呂煜坤;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36;G03F1/44
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;陶金龍

1.一種降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟01：建立一組包含有源區圖形和光刻層圖形的測試圖形；

步驟02：根據測試圖形制作測試圖形版圖，從而收集用于添加輔助圖形的光刻層版圖信息和有源區版圖信息；

步驟03：根據所述光刻層版圖信息和有源區版圖信息，得到有源區圖形線寬和有源區圖形到光刻層圖形的距離對光刻層圖形的線寬的影響曲線；

步驟04：根據所述影響曲線選擇所述步驟01中的測試圖形，并且在所選擇的測試圖形中的所述光刻層圖形中添加初始輔助圖形；所述初始輔助圖形位于所述光刻層圖形中需要降低光透過率的區域；

步驟05：根據完成所述步驟04的所述測試圖形制備測試掩膜版，對一襯底曝光后得到襯底中實際的測試圖形數據信息，并且據此確定輔助圖形的目標尺寸，以建立關于輔助圖形的測試圖形模型；

步驟06：根據所述步驟05中的測試圖形模型及其中的數據信息，采用OPC修正技術將確定了目標尺寸的所述輔助圖形添加到所選擇的測試圖形中的所述光刻層圖形中；

步驟07：以所述步驟06中所添加的輔助圖形作為參考圖形，對所述步驟06中所選擇的所述光刻層圖形進行OPC修正；

步驟08：將所述步驟07中經OPC修正后的所述光刻層圖形與所述步驟06中所添加的輔助圖形合并來制備光刻層掩膜版；所述步驟06中所添加的輔助圖形位于所述光刻層掩膜版中需要降低光透過率的區域。

2.根據權利要求1所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述步驟01中，所述測試圖形包括光刻層圖形以及在光刻層圖形兩邊對稱分布的有源區圖形。

3.根據權利要求1所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述步驟02中，用于添加輔助圖形的光刻層版圖信息和有源區版圖信息包括光刻層圖形的線寬和長度、有源區圖形的線寬和長度、以及有源區圖形到光刻層圖形的距離。

4.根據權利要求1所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述步驟04中，所述輔助圖形由與有源區圖形平行的奇數根線條組成，位于奇數根線條中心位置的一條線條與有源區邊緣重合。

5.根據權利要求4所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述輔助圖形中的線條的根數由有源區圖形到光刻層圖形的距離決定。

6.根據權利要求5所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，當所述有源區圖形到光刻層圖形的距離小于200nm時，所述線條的根數為一根；當所述有源區圖形到光刻層圖形的距離大于200nm且小于400nm時，所述線條的根數為三根；當有源區圖形到光刻層圖形的距離大于400nm時，所述線條的根數為五根。

7.根據權利要求4所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述輔助圖形的目標尺寸包括輔助圖形中的線條線寬和線條的間距。

8.根據權利要求7所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述輔助圖形的線條線寬為20～100nm，所述輔助圖形的線條間距為50～180nm。

9.根據權利要求1所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，在所述步驟01之前，還包括：根據微影曝光條件得到初始的輔助圖形。

10.根據權利要求1-9任意一項所述的降低光透過率的光刻層掩膜版制備方法，其特征在于，所述光刻層圖形為注入層圖形。