[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911147256.4
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN111211148A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發(fā)明（設計）人: 賈智鉉;金兌根;嚴基明
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;G09G3/3208
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 杜正國

1.一種有機發(fā)光二極管顯示器，包括：

襯底；

橋接電極，所述橋接電極布置在所述襯底上；

緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述橋接電極；

半導體層，所述半導體層布置在所述緩沖層上；

第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層覆蓋所述半導體層；

第一柵極導體，所述第一柵極導體布置在所述第一柵極絕緣層上并且包括第一柵電極；

第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層覆蓋所述第一柵極導體；

第二柵極導體，所述第二柵極導體布置在所述第二柵極絕緣層上；

層間絕緣層，所述層間絕緣層覆蓋所述第二柵極導體；以及

數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線布置在所述層間絕緣層上，

其中，所述第一柵電極物理地連接到所述橋接電極，

所述半導體層電連接到所述橋接電極，以及

所述數(shù)據(jù)線與所述橋接電極之間存在有電容。

2.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述半導體層包括驅(qū)動晶體管的溝道區(qū)和第三晶體管的漏區(qū)，

所述驅(qū)動晶體管的所述溝道區(qū)與所述第一柵電極重疊，以及

所述第三晶體管的所述漏區(qū)電連接到所述橋接電極。

3.如權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括：

第一柵極連接器，所述第一柵極連接器布置在與所述第一柵電極相同的層上，

其中，所述第一柵極連接器通過形成在所述第一柵極絕緣層和所述緩沖層中的第一接觸孔物理地連接到所述橋接電極，并且通過形成在所述第一柵極絕緣層中的第二接觸孔物理地連接到所述半導體層。

4.如權利要求2所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括：

驅(qū)動連接器，所述驅(qū)動連接器布置在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上，

其中，所述第一柵極連接器通過形成在所述第一柵極絕緣層和所述緩沖層中的第一接觸孔物理地連接到所述橋接電極，并且通過形成在所述第二柵極絕緣層和所述層間絕緣層中的第二接觸孔物理地連接到所述驅(qū)動連接器，以及

所述驅(qū)動連接器通過形成在所述層間絕緣層、所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層中的第三接觸孔物理地連接到所述半導體層。

5.如權利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括：

第三柵極絕緣層，所述第三柵極絕緣層覆蓋所述第二柵極導體；

第三柵極導體，所述第三柵極導體布置在所述第三柵極絕緣層上；以及

驅(qū)動電壓線，所述驅(qū)動電壓線布置在所述層間絕緣層上，

其中，所述驅(qū)動電壓線布置成與所述橋接電極重疊，并且所述層間絕緣層覆蓋所述第三柵極導體，

其中，所述半導體層包括驅(qū)動晶體管的溝道區(qū)和第三晶體管的漏區(qū)，

其中，所述驅(qū)動晶體管的所述溝道區(qū)與所述第一柵電極重疊，以及

其中，所述第三晶體管的所述漏區(qū)電連接到所述橋接電極。

6.如權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括：

下柵極連接器，所述下柵極連接器布置在與所述第一柵電極相同的層上，

其中，所述下柵極連接器通過形成在所述第一柵極絕緣層和所述緩沖層中的第一接觸孔物理地連接到所述橋接電極，并且通過形成在所述第一柵極絕緣層中的第二接觸孔物理地連接到所述半導體層。

7.如權利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示器，還包括：

上柵極連接器，所述上柵極連接器布置在與所述第三柵極導體相同的層上，

其中，所述上柵極連接器通過形成在所述第一柵極絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第三柵極絕緣層中的第一接觸孔物理地連接到所述半導體層，并且通過形成在所述緩沖層、所述第一柵極絕緣層、所述第二柵極絕緣層和所述第三柵極絕緣層中的第二接觸孔物理地連接到所述橋接電極。