[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201911147194.7
• 申請日: 2019-11-21
• 公開（公告）號: CN111223856A
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 高橋徹雄
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具備：

半導體襯底，其具有表面和背面；

第一電極，其設置于所述表面之上；以及

第二電極，其設置于所述背面之上，

所述半導體襯底包含：元件區域，其包含第一半導體元件；以及外周區域，其包圍所述元件區域，

所述第一半導體元件包含：n^-漂移區域；p基極區域；n⁺發射極區域，其與所述第一電極接觸；柵極絕緣膜，其設置于所述n⁺發射極區域和所述n^-漂移區域間的所述p基極區域的部分之上；柵極電極，其隔著所述柵極絕緣膜而與所述p基極區域的所述部分相對；n緩沖層，其與所述n^-漂移區域接觸，并且相對于所述n^-漂移區域設置于所述背面側；以及p集電極層，其與所述n緩沖層及所述第二電極接觸，并且相對于所述n緩沖層設置于所述背面側，

所述n^-漂移區域、所述n緩沖層及所述第二電極從所述元件區域延伸至所述外周區域，

所述p集電極層也設置于所述外周區域，

在所述外周區域設置有n型區域，所述n型區域與所述第二電極、所述n緩沖層接觸，位于所述外周區域的內側部分處的所述n型區域相對于位于所述外周區域處的所述n型區域的第一面積比例比位于所述外周區域的外側部分處的所述n型區域相對于位于所述外周區域處的所述n型區域的第二面積比例大。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述n型區域具有比所述n緩沖層高的電子濃度。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述n型區域與所述元件區域的外周端分離至少大于或等于所述半導體襯底的厚度的距離，所述半導體襯底的所述厚度被定義為所述外周端處的所述表面和所述背面之間的距離。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

在從所述背面進行的俯視觀察中，形成于所述外周區域的全部所述n型區域被所述p集電極層包圍。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

在從所述背面進行的俯視觀察中，所述n型區域相對于所述外周區域的第三面積比例比所述p集電極層相對于所述外周區域的第四面積比例小。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述n型區域形成為包圍所述元件區域的大于或等于1個環狀。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述n型區域包含多個n型區域部分，

所述多個n型區域部分分散地配置于所述外周區域。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述元件區域還包含第二半導體元件，

所述第二半導體元件包含相對于所述n^-漂移區域設置于所述表面側的p陽極層、以及相對于所述n^-漂移區域設置于所述背面側的n⁺陰極層。