[發明專利]一種承載裝置在審
| 申請號: | 201911146851.6 | 申請日: | 2019-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN110890302A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 曾世賢;林志斌 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L51/56 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 柯玉珊 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 承載 裝置 | ||
1.一種承載裝置,其特征在于,包括承載盤和基板,所述承載盤的形狀與所述基板的形狀相適配,所述承載盤包括第一承載區和非承載區,所述基板包括接觸區和非接觸區;
所述第一承載區與所述接觸區對應設置且所述第一承載區的形狀與所述接觸區的形狀相適配,所述第一承載區表面上設有兩個以上的第一支撐點,相鄰兩個所述第一支撐點之間設有間距,所述基板通過第一支撐點與承載盤接觸;
所述非承載區與所述非接觸區對應設置且所述非承載區的形狀與所述非接觸區的形狀相適配。
2.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述非承載區包括兩個以上形狀為方形的非承載區組,兩個以上的所述非承載區組呈陣列排布且相鄰兩個所述非承載區組之間設有第二承載區,所述第二承載區表面上設有兩個以上的第二支撐點,相鄰兩個所述第二支撐點之間設有間距且所述間距相等。
3.根據權利要求2所述的承載裝置,其特征在于,每個所述非承載區組包括四個第一非承載區,四個所述第一非承載區分別占據所述非承載區組兩組對角線所成的四個三角區域中,所述非承載區組的兩組對角線構成所述承載盤的第三承載區,所述第三承載區表面上設有兩個以上的第三支撐點,相鄰兩個所述第三支撐點之間設有間距且所述間距相等。
4.根據權利要求3所述的承載裝置,其特征在于,四個所述第一非承載區均包括第一非子承載區和第二非子承載區且所述第一非子承載區和第二非子承載區之間設有第四承載區,所述第四承載區表面上設有第四支撐點,相鄰兩個所述第四支撐點之間設有間距且所述間距相等,所述第一非子承載區位于所述三角區域中的頂部且所述第一非子承載區的形狀為三角形,所述第二非子承載區位于所述三角區域中的底部且所述第二非子承載區的形狀為梯形,所述頂部靠近所述非承載區組的中心設置。
5.根據權利要求2所述的承載裝置,其特征在于,每個所述非承載區組包括兩個第二非承載區,兩個所述第二非承載區分別占據所述非承載區組其中一組對角線所成的兩個三角區域中,每個所述非承載區的兩個第二非承載區之間設有第五承載區,所述第五承載區表面上設有兩個以上的第五支撐點,相鄰兩個所述第五支撐點之間設有間距且所述間距相等。
6.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述承載盤的厚度為0.5-2mm。
7.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,相鄰兩個所述第一支撐點之間的間距為5-200mm。
8.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述第一支撐點為半球體形或截面為方形的柱狀支撐物,所述第一支撐點的材質為樹脂。
9.根據權利要求8所述的承載裝置,其特征在于,所述半球體形的第一支撐點的直徑為1-5mm。
10.根據權利要求1所述的承載裝置,其特征在于,所述非承載區為中空結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





