[發(fā)明專利]電子元件制作工藝及基于厚銅陶瓷基板的電子元件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911145215.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110708885A | 公開（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄒時(shí)月 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 鄒時(shí)月 |
| 主分類號(hào)： | H05K3/36 | 分類號(hào)： | H05K3/36;H05K1/02;H05K1/14;H05K3/00;H05K1/03 |
| 代理公司： | 44632 深圳倚智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 銅墊 卡槽 銅柱 柔性基板 陶瓷基板 散熱 卡接 卡接孔 填充 裝配 電鍍銅工藝 一體化連接 硅芯片 散熱效率 蝕刻工藝 制作工藝 鍍銅 接孔 焊接 芯片 中介 制作 | ||
1.一種電子元件的制作工藝，其特征在于，包括：
A.在陶瓷基板(2)上通過蝕刻工藝制作銅墊卡槽(21)和卡接銅柱(22)，在柔性基板(3)上焊接硅芯片(1)；
所述柔性基板(3)的厚度方向上設(shè)置有3個(gè)以上的卡接孔(32)，所述陶瓷基板(2)上設(shè)置有3個(gè)以上的卡接銅柱(22)，所述卡接銅柱(22)的直徑為所述卡接孔(32)的孔徑的95％～99％，所述卡接銅柱(22)與所述卡接孔(32)裝配，所述散熱銅墊(31)位于所述銅墊卡槽(21)內(nèi)，所述散熱銅墊(31)的周側(cè)及底部與所述銅墊卡槽(21)之間設(shè)置有3～20μm的間隙；
B.通過鍍銅工藝，填充所述散熱銅墊(31)的周側(cè)及底部與所述銅墊卡槽(21)之間的間隙，同時(shí)填充卡接銅柱(22)與所述卡接孔(32)之間的間隙。
2.如權(quán)利要求1所述基于電子元件的制作工藝，其特征在于，所述硅芯片(1)的數(shù)量在2個(gè)以上，所述柔性基板(3)設(shè)置有兩個(gè)以上散熱銅墊(31)，所述散熱銅墊(31)位于所述硅芯片(1)的底部，所述陶瓷基板(2)設(shè)置有2個(gè)以上的銅墊卡槽(21)；
兩個(gè)所述銅墊卡槽(21)具有不同的底部高度，所述柔性基板(3)折彎設(shè)置，至少2個(gè)所述散熱銅墊(31)位于不同的高度的銅墊卡槽(21)內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述基于電子元件的制作工藝，其特征在于，所述鍍銅工藝包括化學(xué)沉銅和電鍍銅；
所述化學(xué)沉銅的銅層的厚度為1～5μm；
所述電鍍銅時(shí)，為雙回路電鍍工藝，所述陶瓷基板(2)和柔性基板(3)上同時(shí)設(shè)置有電鍍夾子夾持點(diǎn)；
在散熱銅墊(31)與所述銅墊卡槽(21)之間的間隙為4～20μm時(shí)，采用雙回路電鍍工藝進(jìn)行電鍍，同時(shí)通過所述陶瓷基板(2)和柔性基板(3)上的電鍍夾子夾持點(diǎn)進(jìn)行電鍍；在散熱銅墊(31)與所述銅墊卡槽(21)之間的間隙小于4μm時(shí)，采用單回路電鍍工藝，僅通過所述陶瓷基板(2)或柔性基板(3)上的電鍍夾子夾持點(diǎn)進(jìn)行電鍍。
4.一種基于厚銅陶瓷基板的電子元件，包括硅芯片(1)，其特征在于，還包括陶瓷基板(2)和柔性基板(3)；
所述硅芯片(1)為具有雙面焊盤的芯片，所述硅芯片(1)的底面焊接在所述柔性基板(3)上；
所述柔性基板(3)設(shè)置有散熱銅墊(31)，所述散熱銅墊(31)位于所述硅芯片(1)的一側(cè)或底部，所述陶瓷基板(2)設(shè)置有銅墊卡槽(21)；
所述柔性基板(3)的厚度方向上設(shè)置有3個(gè)以上的卡接孔(32)，所述陶瓷基板(2)上設(shè)置有3個(gè)以上的卡接銅柱(22)，所述卡接銅柱(22)的直徑為所述卡接孔(32)的孔徑的95％～99％，所述卡接銅柱(22)與所述卡接孔(32)裝配后，所述散熱銅墊(31)位于所述銅墊卡槽(21)內(nèi)，所述散熱銅墊(31)的周側(cè)及底部與所述銅墊卡槽(21)之間設(shè)置有3～20μm的間隙；
通過鍍銅工藝，填充所述卡接銅柱(22)與所述卡接孔(32)之間的間隙，同時(shí)，填充所述散熱銅墊(31)與所述銅墊卡槽(21)之間的間隙，實(shí)現(xiàn)所述柔性基板(3)與所述陶瓷基板(2)的裝配。
5.如權(quán)利要求4所述基于厚銅陶瓷基板的電子元件，其特征在于，所述硅芯片(1)的數(shù)量在2個(gè)以上，所述柔性基板(3)設(shè)置有兩個(gè)以上散熱銅墊(31)，所述散熱銅墊(31)位于所述硅芯片(1)的底部，所述陶瓷基板(2)設(shè)置有2個(gè)以上的銅墊卡槽(21)；
兩個(gè)所述銅墊卡槽(21)具有不同的底部高度，所述柔性基板(3)折彎設(shè)置，至少2個(gè)所述散熱銅墊(31)位于不同的高度的銅墊卡槽(21)內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述基于厚銅陶瓷基板的電子元件，其特征在于，所述卡接孔(32)設(shè)置有銅層的鍍銅孔；所述卡接銅柱(22)為銅卡接銅柱；
所述卡接孔(32)的周側(cè)為樹脂或樹脂和纖維的組合物。
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