[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201911145205.8
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111584464A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 金毅烈;金善賢;樸喜雨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/98;H01L27/146
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體器件，包括：

第一子芯片，包括第一襯底和所述第一襯底上的第一多個互連線；

第二子芯片，包括第二襯底和所述第二襯底上的第二多個互連線，其中所述第二子芯片堆疊在所述第一子芯片上，以及其中所述第一子芯片的所述第一多個互連線和所述第二子芯片的所述第二多個互連線位于所述第一襯底與所述第二襯底之間；以及

貫通接觸部，從所述第二襯底朝所述第一子芯片延伸，以將所述第一子芯片和所述第二子芯片彼此電連接，

其中所述第二子芯片的所述第二多個互連線包括具有第一開口的第一互連線和具有第二開口的第二互連線，

其中所述第二開口的中心相對于所述第一開口的中心在平行于所述第一襯底和所述第二襯底的方向上水平偏移，

其中所述貫通接觸部包括輔助接觸部，所述輔助接觸部在所述第一開口和所述第二開口中朝所述第一子芯片延伸，以及

其中相對于所述第一襯底，所述輔助接觸部的底表面的高度高于所述第一子芯片的所述第一多個互連線中的最上互連線的頂表面的高度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述輔助接觸部在所述第一開口中具有第一寬度，

其中所述輔助接觸部在所述第二開口中具有第二寬度，以及

其中所述第二寬度小于所述第一寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述輔助接觸部的底部包括平面形狀，以及

其中所述第一開口與所述第二開口之間的重疊區包括所述平面形狀。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

晶體管，位于所述第二襯底的第一表面上，

其中所述第二襯底包括與所述第一表面相對的第二表面，以及

其中所述貫通接觸部從所述第二襯底的所述第二表面朝所述第一子芯片豎直延伸。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述貫通接觸部還包括電連接到所述第一子芯片的所述最上互連線的主接觸部。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其中相對于所述第一襯底，所述輔助接觸部的底表面的高度高于所述主接觸部的底表面的高度。

7.根據權利要求5所述的半導體器件，其中所述主接觸部與所述第一互連線和所述第二互連線接觸。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二子芯片還包括所述第二襯底中的光電轉換器件，以及

其中所述第一子芯片還包括所述第一襯底上的存儲器晶體管。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述輔助接觸部在所述第一開口中具有第一寬度，

其中所述輔助接觸部在所述第二開口中具有比所述第一寬度小的第二寬度，以及

其中所述輔助接觸部的所述第二寬度隨距所述第一開口的距離增加而減小。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

插入層，位于所述第一子芯片與所述第二子芯片之間并將所述第一子芯片物理連接到所述第二子芯片，

其中相對于所述第一襯底，所述輔助接觸部的底表面的高度高于所述插入層的底表面的高度并低于所述插入層的頂表面的高度。