[發明專利]一種可調諧窄線寬激光器

在審

• 申請號: 201911143384.1
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN110838673A
• 公開（公告）日: 2020-02-25
• 發明（設計）人: 梁磊;賈鵬;秦莉
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: H01S3/10
• 分類號: H01S3/10;H01S3/08;H01S3/03
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉翠香

1.一種可調諧窄線寬激光器，其特征在于，包括平面光波導和半導體光放大器，所述平面光波導包括從下至上依次設置的襯底層、下包層、波導芯層、上包層和電極層，其中，所述波導芯層包括依次連接的非對稱馬赫增德爾干涉儀、第一平行信道單微環諧振濾波器、第二平行信道單微環諧振濾波器、Y型分束器、第一錐形模式轉換器、直波導芯層、第二錐形模式轉換器和環形反射器，所述直波導芯層上鍵合有所述半導體光放大器，所述電極層包括位于所述非對稱馬赫增德爾干涉儀的非對稱長臂上面的電極、位于所述第一平行信道單微環諧振濾波器和所述第二平行信道單微環諧振濾波器上面的電極和位于所述環形反射器上面的電極。

2.根據權利要求1所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述半導體光放大器的中間呈條形，兩端呈錐形，且其襯底片上具有刻蝕阻擋層。

3.根據權利要求1所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述波導芯層為硅基光波導芯層。

4.根據權利要求1所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述波導芯層中的各個器件為單模矩形波導或單模脊形波導。

5.根據權利要求1所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述襯底層為硅基襯底層，所述下包層為二氧化硅下包層，所述上包層為二氧化硅上包層或苯并環丁烯上包層，所述電極層為金電極層、鋁電極層或鈦電極層。

6.根據權利要求1所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述第一平行信道單微環諧振濾波器包括第一環形波導、作為上信道的第一直波導和作為下信道的第二直波導，所述第一直波導與所述非對稱馬赫增德爾干涉儀連接，所述第二直波導與所述Y型分束器的一個輸出端口連接。

7.根據權利要求6所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述第二平行信道單微環諧振濾波器包括第二環形波導、作為上信道的第三直波導和作為下信道的第四直波導，所述第三直波導與所述非對稱馬赫增德爾干涉儀的另一端連接，所述第四直波導與所述Y型分束器的另一個輸出端口連接。

8.根據權利要求7所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述第一環形波導和所述第二環形波導為圓環形波導、橢圓環形波導或跑道圓環形波導。

9.根據權利要求1-8任一項所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述環形反射器包括第三環形波導、第四環形波導、第五直波導和第六直波導，其中，所述第三環形波導和所述第五直波導定向耦合，所述第四環形波導和所述第六直波導非定向耦合。

10.根據權利要求9所述的可調諧窄線寬激光器，其特征在于，所述第三環形波導為四分之三圓環形波導、四分之三橢圓環形波導或四分之三跑道圓環形波導；

所述第四環形波導為半圓環加四分之一圓環形波導、半橢圓環加四分之一圓環形波導或半跑道圓環加四分之一圓環形波導。