[發(fā)明專利]顯示基板、制備方法及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN110727149B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 杜瑞芳;沈夢;錢海蛟;馬小葉
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333;G09G3/36
• 代理公司: 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435
• 代理人: 周穎穎

1.一種顯示基板，包括襯底基板，所述襯底基板的一側(cè)形成有多條平行的柵線和多條平行的數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線相互絕緣并交叉限定了多個像素單元，其特征在于，還包括：

柵電極，所述柵電極與所述柵線同層形成，通過其所在像素單元行的柵線接收對應(yīng)的GOA單元的柵極驅(qū)動信號；

上拉電極，位于所述襯底基板設(shè)有所述柵電極的一側(cè)，所述上拉電極與所述柵電極異層設(shè)置，所述上拉電極和所述柵電極至少通過位于兩者之間的絕緣層互相絕緣，每行像素單元的所述上拉電極與所在像素單元行對應(yīng)的GOA單元的上拉節(jié)點電連接；

所述柵電極與所述柵線中的至少一者在所述襯底基板上的正投影和所述上拉電極在所述襯底基板上的正投影具有重疊部分；

所述像素單元還包括：有源層、源電極和漏電極，所述源電極、所述漏電極以及所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述上拉電極在所述襯底基板上的正投影不重合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述上拉電極在所述襯底基板上的正投影位于所述柵電極和/或所述柵線在所述襯底基板上的正投影的區(qū)域內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，每個像素單元還包括位于所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的像素電極，所述上拉電極與所述像素電極共層設(shè)置且彼此絕緣，且所述上拉電極的材質(zhì)與所述像素電極的材質(zhì)相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元還包括：

位于所述柵電極遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板一側(cè)的有源層；以及，

與所述有源層分別連接的源電極和漏電極；

所述絕緣層設(shè)置在所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述絕緣層覆蓋所述源電極、所述漏電極以及所述有源層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述像素單元還包括：

位于所述柵電極靠近所述襯底基板一側(cè)的有源層；

與所述有源層分別連接的源電極和漏電極；以及，

位于所述柵電極與所述有源層之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述有源層、所述源電極和所述漏電極；

所述絕緣層設(shè)置在所述柵電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的顯示基板，其特征在于，所述絕緣層為鈍化層或有機膜層。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的顯示基板。

8.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底基板的一側(cè)形成柵金屬層，所述柵金屬層包括柵電極和柵線；其中，所述柵電極可以是所述柵線的一部分，也可以是從所述柵線中延伸出的一部分；

在所述柵電極遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成絕緣層；

在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成上拉電極，所述上拉電極和其所在行對應(yīng)的GOA單元的上拉節(jié)點電連接；其中，

所述柵電極與所述柵線中的至少一者在所述襯底基板上的正投影和所述上拉電極在所述襯底基板上的正投影具有重疊部分；

在形成所述柵金屬層之后，形成所述絕緣層之前還包括：形成有源層、源電極和漏電極；或者，在形成所述柵金屬層之前，還包括：形成有源層、源電極和漏電極；

其中，所述源電極、所述漏電極以及所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述上拉電極在所述襯底基板上的正投影不重合。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，還包括：在所述絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成像素電極，所述上拉電極與所述像素電極同層設(shè)置且彼此絕緣。