[發明專利]基于多電極的照明通信器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201911141902.6
• 申請日: 2019-11-20
• 公開（公告）號: CN111081831B
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 郭志友;徐永帥;孫慧卿
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 仵樂娟

1.基于多電極的照明通信器件，該照明通信器件由下至上依次包括N型半導體層、多量子阱層、N電極、P型半導體層以及P電極，所述N電極位于所述N型半導體層表面，所述P電極位于所述P型半導體層表面，其特征在于，沿所述多量子阱層及所述P型半導體層的外壁向所述N型半導體層方向設置有四個SiO₂絕緣墊，相鄰兩個所述SiO₂絕緣墊之間的夾角為90°；所述P電極包括P電極內環、P電極外環以及直線電極，所述P電極內環與所述P電極外環為同心圓環狀，所述直線電極沿所述圓環的直徑方向，從所述P電極內環經由所述P電極外環延伸至所述SiO₂絕緣墊，所述P電極內環以及所述P電極外環均由四段均勻分布的P電極弧段構成；所述N電極包括四段N電極弧段，兩相鄰所述N電極弧段之間由所述SiO₂絕緣墊分隔；

所述P電極內環以及所述P電極外環的相對應P電極弧段及其相對應的直線電極形成四個獨立的“士”字形結構；

所述N電極呈環狀，所述N電極的環狀半徑大于所述P電極外環半徑。

2.根據權利要求1的所述照明通信器件，其特征在于，所述直線電極位于所述SiO₂絕緣墊的一端設置有P電極焊盤。

3.根據權利要求1或2的所述照明通信器件，其特征在于，所述N電極弧段上設置有N電極焊盤。

4.根據權利要求3的所述照明通信器件，其特征在于，所述N電極焊盤設置于所述N電極圓弧的中部位置。

5.根據權利要求1的所述照明通信器件，其特征在于，所述直線電極連接所述P電極弧段的中部位置。

6.照明通信器件的制備方法，其包括以下步驟：

在襯底上沉積N型半導體層、多量子阱層以及P型半導體層，形成外延片；

在上述外延片上采用光刻工藝，依次形成N型半導體臺面以及包含多量子阱層及P型半導體的臺面；

沉積SiO₂絕緣墊，沿包含多量子阱層及P型半導體的臺面的側壁向N型半導體臺面沉積預設形狀的SiO₂絕緣墊；

在所述P型半導體層上蒸鍍P電極，所述P電極包含兩個同心圓環結構的P電極內環、P電極外環以及四個直線電極，直線電極與P電極內環以及P電極外環交叉，且兩相鄰直線電極之間的夾角為90°，所述直線電極的一端延伸至所述SiO₂絕緣墊上；

刻蝕P電極，沿各相鄰兩直線電極所成夾角的角平分線將所述P電極內環及所述P電極外環刻蝕成均勻分布的四個部分，相互之間不導通；

蒸鍍N電極，在所述N型半導體臺面上蒸鍍環狀N型電極；

刻蝕N型電極形成均勻分布的四個部分，相互之間不導通。

7.根據權利要求6的所述制備方法，其特征在于，蒸鍍P電極的步驟中還包括，在直線電極靠近所述SiO₂絕緣墊一側的端部蒸鍍焊盤結構。

8.根據權利要求6的所述制備方法，其特征在于，蒸鍍N電極的步驟中還包括蒸鍍四個焊盤，所述焊盤分別位于各所述N電極中部位置。