[發(fā)明專利]多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911141646.0
• 申請(qǐng)日: 2019-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN111211141B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡秉諭;林煜喆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瑩耀科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 深圳市舜立知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44335
• 代理人: 侯藝

1.一種多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，

一第一基板；

復(fù)數(shù)個(gè)第一電極，彼此間以一間隔排列設(shè)置于所述第一基板上；

一補(bǔ)隙層，設(shè)置于所述間隔上；

復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元，包括一第三電極，且所述復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元依序設(shè)置于所述復(fù)數(shù)個(gè)第一電極上；以及

復(fù)數(shù)個(gè)第二發(fā)光單元，包括一第四電極，且所述復(fù)數(shù)個(gè)第二發(fā)光單元依序設(shè)置于每個(gè)所述補(bǔ)隙層上；

所述復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元及所述復(fù)數(shù)個(gè)第二發(fā)光單元彼此間交錯(cuò)排列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元及所述復(fù)數(shù)個(gè)第二發(fā)光單元更包括發(fā)光二極管發(fā)光層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一基板的材質(zhì)選自硅、碳化硅、氧化鋅、氮化鎵及藍(lán)寶石。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，中所述補(bǔ)隙層包括：

一第二基板；以及，

一第二電極，設(shè)于所述第二基板上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述補(bǔ)隙層包括：

一半切溝槽；以及

一第二電極，形成于所述半切溝槽中。

6.一種多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

(a)提供一第一基板；

(b)于所述第一基板上形成一電極層；

(c)以一離間手段透過復(fù)數(shù)個(gè)間隔將所述電極層破片，形成復(fù)數(shù)個(gè)第一電極；

(d)于每個(gè)所述復(fù)數(shù)個(gè)第一電極上形成復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元，接著于所述間隔的區(qū)域形成一補(bǔ)隙層；以及

(e)于所述補(bǔ)隙層上形成一第二發(fā)光單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述復(fù)數(shù)個(gè)第一發(fā)光單元及所述第二發(fā)光單元更包括發(fā)光二極管發(fā)光層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一基板的材質(zhì)選自硅、碳化硅、氧化鋅、氮化鎵及藍(lán)寶石。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，步驟(d)中，形成所述補(bǔ)隙層的方法為激光成形式直接納米轉(zhuǎn)印。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述補(bǔ)隙層包括：

一第二基板；以及

一第二電極，設(shè)于所述第二基板上。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層堆棧補(bǔ)隙發(fā)光半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，

所述補(bǔ)隙層包括：

一半切溝槽；以及

一第二電極，形成于所述半切溝槽中。