[發明專利]一種無凸點裸芯片高精密封裝工藝在審
| 申請號： | 201911139672.X | 申請日： | 2019-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN110828318A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 楊媚蓮;王健;孫彬;沈洪;李曉華 | 申請（專利權）人： | 江蘇上達電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京勁創知識產權代理事務所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 張鐵蘭 |
| 地址： | 221300 江蘇省徐州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無凸點裸 芯片 精密 封裝 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種無凸點裸芯片高精密封裝工藝，其特征在于：包括以下步驟：
S1、在基材銅箔上完成凸點制作；
S2、將裸芯片直接倒裝在完成凸點制作的銅箔上；
S3、對完成芯片倒裝的基材進行Molding處理；
S4、剝離基材底層的膜；
S5、在銅箔上剝離膜的一面涂上一層涂布液；
S6、對銅箔上的涂布液進行曝光與顯影處理；
S7、曝光與顯影處理完畢之后，再進行蝕刻處理，然后剝膜即可；
S8、在蝕刻、剝膜后的銅箔上均勻印刷一層油墨；
S9、印刷油墨之后，在材料上制作錫球，完成最終產品封裝工藝。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
