[發(fā)明專利]一種用于控制VCSEL陣列產(chǎn)生均勻的平頂遠(yuǎn)場(chǎng)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911138331.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-11-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110620330B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張成;梁棟;霍軼杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 常州縱慧芯光半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/068 | 分類號(hào)： | H01S5/068 |
| 代理公司： | 北京華創(chuàng)智道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭隨麗 |
| 地址： | 213161 江蘇省常州市武進(jìn)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 控制 vcsel 陣列 產(chǎn)生 均勻 平頂 方法 | ||
1.一種用于控制VCSEL陣列產(chǎn)生均勻的平頂遠(yuǎn)場(chǎng)的方法，其特征在于：
對(duì)包括多個(gè)VCSEL單元的VCSEL陣列上不同區(qū)域的VCSEL單元，施加不同電流使得各區(qū)域的光場(chǎng)相互疊加，從而產(chǎn)生均勻的平頂遠(yuǎn)場(chǎng)并實(shí)現(xiàn)VCSEL陣列的光場(chǎng)在時(shí)域上發(fā)生的變化，所述VCSEL陣列不包括用于漫射作用的光學(xué)元件;
通過對(duì)欲施加不同電流的所述VCSEL單元的排列和比例進(jìn)行調(diào)整，以用于實(shí)現(xiàn)不同形狀的平頂遠(yuǎn)場(chǎng)，包括：
具有不同電流密度大小的兩個(gè)圓形孔徑VCSEL單元，其中較大電流密度的VCSEL單元的遠(yuǎn)場(chǎng)呈環(huán)狀的非均勻的形式，較小電流密度的VCSEL單元的遠(yuǎn)場(chǎng)呈高斯分布的非均勻的形式，較大電流密度的VCSEL單元有序排列在左側(cè)，較小電流密度的VCSEL單元有序排列在右側(cè)，在陣列中以一定的數(shù)量比例對(duì)兩個(gè)圓形孔徑VCSEL單元進(jìn)疊加產(chǎn)生均勻的圓形平頂遠(yuǎn)場(chǎng)分布。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述施加不同電流包括施加不同的電流密度，或者不同頻率和/或占空比和/或相位的脈沖電流。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于：對(duì)于每個(gè)不同的電流密度，具體為將單獨(dú)的電流注入接觸區(qū)以允許用不同的電流密度注入電流。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述VCSEL單元采用并聯(lián)、串聯(lián)或者單獨(dú)控制的形式。
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