[發(fā)明專利]一種基于乙酰丙酮銀制備Ag2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911137327.2
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN112899646B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧維爾;明帥強(qiáng);夏洋
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): C23C16/30
• 分類號(hào): C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/02
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

1.一種基于乙酰丙酮銀制備Ag₂S 薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

將硅襯底放置于原子層沉積的反應(yīng)腔室中，將所述反應(yīng)腔室抽真空且分別對基底、所述反應(yīng)腔室、管路加熱至指定溫度；

將乙酰丙酮銀與硫粉分別裝入原子層沉積設(shè)備的固態(tài)源加熱源瓶內(nèi)，分別加熱所述固態(tài)源加熱源瓶至第一溫度與第二溫度，獲得乙酰丙酮銀蒸汽和硫粉蒸汽；所述第一溫度為90～100℃，所述第二溫度為110～120℃；

根據(jù)第一脈沖時(shí)間將所述乙酰丙酮銀蒸汽通入所述反應(yīng)腔室，用氮?dú)庖缘谝磺逑磿r(shí)間清洗所述反應(yīng)腔室；

根據(jù)第二脈沖時(shí)間將所述硫粉蒸汽通入所述反應(yīng)腔室，用所述氮?dú)庖缘诙逑磿r(shí)間清洗所述反應(yīng)腔室；

所述乙酰丙酮銀蒸汽與所述硫粉蒸汽在所述反應(yīng)腔室中進(jìn)行原子層沉積，獲得第一厚度的硫化銀薄膜；循環(huán)執(zhí)行200～800個(gè)所述乙酰丙酮銀蒸汽與所述硫粉蒸汽在所述反應(yīng)腔室中進(jìn)行原子層沉積，獲得200～800倍第一厚度的硫化銀薄膜；

所述第一脈沖時(shí)間的范圍為0.5～2S；

所述第二脈沖時(shí)間的范圍為1-4S；

所述乙酰丙酮銀蒸汽與所述硫粉蒸汽通入所述反應(yīng)腔室的載氣流量為45sccm。

2.如權(quán)利要求1所述的基于乙酰丙酮銀制備Ag₂S 薄膜的方法，其特征在于，所述基底、所述反應(yīng)腔室、所述管路的加熱溫度范圍均為100℃～200℃。

3.如權(quán)利要求1所述的基于乙酰丙酮銀制備Ag₂S 薄膜的方法，其特征在于，所述第一清洗時(shí)間20～60S。

4.如權(quán)利要求1所述的基于乙酰丙酮銀制備Ag₂S 薄膜的方法，其特征在于，所述第二清洗時(shí)間20～60S。

5.如權(quán)利要求1所述的基于乙酰丙酮銀制備Ag₂S 薄膜的方法，其特征在于，所述氮?dú)馇逑此龇磻?yīng)腔室的流量為30sccm。