[發明專利]適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路

有效

• 申請號: 201911137030.6
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN111130465B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 薛雯;周和平;盧飛平;馮益
• 申請（專利權）人: 中國兵器裝備集團上海電控研究所
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 上海段和段律師事務所 31334
• 代理人: 李佳俊;郭國中

1.一種適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路，其特征在于，包括：第一級放大器單元、第一濾波單元、級間匹配單元以及第二級放大器單元；

所述第一級放大器單元包括：第一級放大器芯片，電容C1、電容C2、電容C3、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電感L1以及電感L3；

所述第一級放大器芯片采用型號為ATF54143的芯片；

所述第一級放大器單元輸入端與電容C3的一端相連，所述電容C3的另一端與電感L1的一端、第一級放大器芯片第三端口相連；

所述電感L1的另一端與電容C1的一端、電阻R1的一端、電阻R2的一端相連；

所述電阻R1的另一端接地；

所述電阻R2的另一端和電阻R3的一端、第一電源相連；

所述電阻R3的另外一端與電容C2的一端、電感L3的一端相連；

所述電容C2的另一端接地；

所述L3的另外一端和第一級放大器芯片的第一端口、第一級放大器單元的輸出端相連；

所述第一級放大器芯片的第二端口、第一級放大器芯片的第四端口接地；

所述第一級放大器單元的輸出端和第一濾波單元輸入端相連；

所述第一濾波單元的輸出端與級間匹配單元的輸入端相連；

所述級間匹配單元的輸出端與第二級放大器單元的輸入端相連；

所述第二級放大器單元包括：第二級放大器芯片、電容C6、電容C11、電感L5；

所述第二級放大器單元的輸入端與第二級放大器芯片第六端口相連；

所述第二級放大器單元第二端口、第二級放大器單元第四端口、第二級放大器單元第五端口接地；

所述第二級放大器芯片第一端口與第一電源、電感L5的一端、電容C6的一端相連；

所述電容C6的另一端接地；

所述電感L5的另一端和電容C11的一端、第二級放大器芯片第三端口相連；

所述電容C11的另一端和第二級放大器單元的輸出端相連；

所述二級放大器芯片采用型號為ASL226的芯片。

2.根據權利要求1所述的適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路，其特征在于，所述第一濾波單元包括：第一濾波芯片、電容C4；

所述第一濾波芯片第一端口、第一濾波芯片第三端口、第一濾波芯片第四端口、第一濾波芯片第六端口接地；

所述第一濾波芯片第二端口和電容C4的一端相連；

所述電容C4的另一端與第一濾波單元輸入端相連；

所述第一濾波芯片第五端口和第一濾波單元輸出端相連。

3.根據權利要求2所述的適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路，其特征在于，所述第一濾波芯片采用型號TA1584A的芯片。

4.根據權利要求1所述的適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路，其特征在于，所述級間匹配單元包括：電阻R4、電阻R5、電阻R6、電感L2、電感L4以及電容C5；

所述級間匹配單元輸入端和電阻R4的一端、電阻R5的一端相連；

所述電阻R5的另一端接地；

所述電阻R4的另一端和電阻R6的一端、電感L2的一端、電容C5的一端相連；

所述電感L2的另一端接地；

所述電容C5的另一端與電感L4的一端相連；

電感L4的另一端和級間匹配單元輸出端相連。

5.根據權利要求1所述的適用于北斗二代頻段的低噪放射頻前端電路，其特征在于，還包括：偏置電路單元；

所述偏置電路單元包括：偏置電路芯片、電容C7、電容C8、電容C9、電容C10、電感L6以及雙向瞬態抑制二極管U5；

所述雙向瞬態抑制二極管U5的一端、電感L6的一端與第二電源相連；

所述雙向瞬態抑制二極管U5的另一端接地；

所述電感L6的另一端與電容C7的一端、電容C8的一端、偏置電路芯片第一端口、偏置電路芯片第三端口的一端相連；

所述偏置電路芯片第五端口與電容C9的一端、電容C10的一端、第一電源相連；

所述偏置電路芯片第二端口、電容C9的另一端、電容C10的另一端、電容C7的另一端、電容C8的另一端接地。