[發(fā)明專利]MOS器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911136246.0
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110867412B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪韜;唐小亮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種MOS器件的制造方法，其特征在于，所述MOS器件的制造方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括高壓器件區(qū)和核心器件區(qū)，所述核心器件區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底表面形成有介質(zhì)層；

所述高壓器件區(qū)形成有第一柵極結(jié)構(gòu)，所述核心器件區(qū)形成有第二柵極結(jié)構(gòu)；

形成第一側(cè)墻層，所述第一側(cè)墻層覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)、所述第二柵極結(jié)構(gòu)以及所述半導(dǎo)體襯底；

對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入工藝，以形成離子注入?yún)^(qū)，所述離子注入?yún)^(qū)包括第一離子注入?yún)^(qū)和第二離子注入?yún)^(qū)，所述第一離子注入?yún)^(qū)位于所述高壓器件區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中，所述第二離子注入?yún)^(qū)位于所述核心器件區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中，且所述第二離子注入?yún)^(qū)位于所述介質(zhì)層上；

去除所述核心器件區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底上的所述第一側(cè)墻層，暴露出部分所述半導(dǎo)體襯底；

在暴露出的所述半導(dǎo)體襯底上形成外延硅層，通過所述外延層形成過程中產(chǎn)生的熱量，使所述離子注入?yún)^(qū)的離子向所述離子注入?yún)^(qū)外的所述半導(dǎo)體襯底擴(kuò)散。

2.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，通過外延硅生長工藝形成所述外延硅層中，采用的工藝溫度為700℃～800℃。

3.如權(quán)利要求2所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述外延硅層的厚度為10nm～50nm。

4.如權(quán)利要求2所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述外延硅生長工藝的時(shí)間為10min～60min。

5.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述離子注入工藝注入的離子為N型離子或P型離子。

6.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在形成所述離子注入?yún)^(qū)后，所述MOS器件的制造方法還包括：形成第二側(cè)墻層，所述第二側(cè)墻層覆蓋所述第一側(cè)墻層。

7.如權(quán)利要求6所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一側(cè)墻層的材質(zhì)為氧化硅；所述第二側(cè)墻層的材質(zhì)為氮化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，通過濕法刻蝕去除所述核心器件區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底上的所述第一側(cè)墻層。

9.如權(quán)利要求8所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的溶液為酸性溶液。

10.如權(quán)利要求1所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)上均形成有硬掩膜層，所述第一側(cè)墻層覆蓋所述硬掩膜層。