[發明專利]去膠設備、頂針監控方法和去膠工藝

有效

• 申請號: 201911136237.1
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110850690B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 王駿杰;荊泉;李宇杰
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42;H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種去膠設備，包括：腔體，位于所述腔體底部的頂針，以及位于所述腔體側壁的光譜監控儀；所述頂針用于對晶圓進行升降作用，所述光譜監控儀用于監測所述頂針是否到達正確位置；本發明還提供了一種頂針監控方法，用于監測去膠工藝平臺的頂針位置是否異常，包括：光譜監控儀接受晶圓表面的光譜信號；判斷光譜信號是否異常；本發明還提供了一種去膠工藝，包括：判斷所述頂針位置是否異常；如果沒有異常，開始去膠。在本發明提供的去膠設備、頂針監控方法和去膠工藝中，通過對晶圓表面光譜信號的監測來判斷頂針的位置是否在合適的位置，使得去膠結果速率正常。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種去膠設備、頂針監控方法和去膠工藝。

背景技術

光刻膠去膠工藝的機臺上，由于無靜電吸附盤功能，從而無法知道頂針在哪個位置，是在晶圓下面還是邊緣升降異常，導致晶圓在垂直位置上位置偏差時，無法及時有效偵測到此異常點，而頂針位置的異常，會導致晶圓無法與高溫工站接觸從而導致去膠速率異常。

發明內容

本發明的目的在于提供一種去膠設備、頂針監控方法和去膠工藝，通過對晶圓表面光譜信號的監測來判斷頂針的位置是否在合適的位置，最終使得去膠結果速率正常。

為了達到上述目的，本發明提供了一種去膠設備，包括：腔體，位于所述腔體底部的頂針，以及位于所述腔體側壁的光譜監控儀；所述頂針用于對晶圓進行升降作用，所述光譜監控儀用于監測所述頂針是否到達正確位置。

可選的，在所述的去膠設備中，所述光譜監控儀位于所述腔體側壁上。

可選的，在所述的去膠設備中，所述頂針數量為多個，均勻分布在所述腔體的底部。

本發明還提供了一種頂針監控方法，用于監測去膠工藝平臺的頂針位置是否異常，其特征在于，包括：光譜監控儀接受晶圓表面的光譜信號；判斷光譜信號是否異常。

可選的，在所述的頂針監控方法中，所述判斷信號是否異常的方法包括：光譜信號曲線走向有異常。

可選的，在所述的頂針監控方法中，所述判斷信號是否異常的方法包括：光譜信號幅度比正常的信號幅度高時，判斷此次光譜信號異常。

本發明還提供了一種去膠工藝，包括：判斷所述頂針位置是否異常；如果沒有異常，開始去膠。

可選的，在所述的去膠工藝中，頂針位置是否異常包括頂針沒有達到腔體最底部的位置。

可選的，在所述的去膠工藝中，所述晶圓在垂直方向的位置的不同，導致所述晶圓的去膠速度不同。

可選的，在所述的去膠工藝中，所述晶圓的去膠速度不同，導致晶圓表面的光譜信號不同。

在本發明提供的去膠設備、頂針監控方法和去膠工藝中，通過對晶圓表面光譜信號的監測來判斷頂針的位置是否在合適的位置，使得去膠結果速率正常。

附圖說明

圖1是本發明實施例的去膠設備的結構示意圖；

圖中：110-腔體、120-光譜監控儀、130-頂針。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的具體實施方式進行更詳細的描述。根據下列描述，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。

在下文中，術語“第一”“第二”等用于在類似要素之間進行區分，且未必是用于描述特定次序或時間順序。要理解，在適當情況下，如此使用的這些術語可替換。類似的，如果本文所述的方法包括一系列步驟，且本文所呈現的這些步驟的順序并非必須是可執行這些步驟的唯一順序，且一些所述的步驟可被省略和/或一些本文未描述的其他步驟可被添加到該方法。