[發明專利]一種高熒光量子產率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子點制備方法

有效

• 申請號: 201911135812.6
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110746975B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 段軍紅;鄒時兵;倪武;劉亮;馮璐欣
• 申請（專利權）人: 南昌航空大學
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;B82Y30/00
• 代理公司: 南昌洪達專利事務所 36111
• 代理人: 黃文亮

1.一種高熒光量子產率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子點制備方法，其特征在于包括以下部分：

(1)通過高溫熱注入法制備粒徑為3.5nm的CdZnSe核量子點；

(2)步驟(1)得到的CdZnSe量子點純化溶解于甲苯中與十八烯混合，通過連續離子層吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的陽離子與陰離子的混合前驅體，制備得到包覆有CdSe殼層為0.5nm的CdZnSe/CdSe量子點；

(3)在步驟(2)的基礎上，按照一定的滴加速率繼續滴加混合的陰陽離子前驅體，繼續反應合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子點；

所述步驟(2)中陽離子前驅體為濃度0.1mmol/ml的油酸鎘(Cd(OA)₂)，陰離子前驅體為濃度為1mmol/ml的硒粉(Se)溶于三丁基磷TBP；

所述步驟(2)中包覆CdSe殼層時的溫度選擇在300℃，滴加速率為6ml/h，具體保溫時間是10分鐘；

所述步驟(3)中的陰離子前驅體濃度為1mmol/ml的硒粉(Se)溶解于三丁基磷TBP；

所述步驟(3)中陽離子前驅體分別為濃度0.5mmol/ml油酸鎘(Cd(OA)₂)、油酸鋅(Zn(OA)₂)，滴加速率為3ml/h。

2.根 據權利要求1所述的一種高熒光量子產率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子點制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中需要多次改變Se前驅體的量和成核的保溫時間來獲得熒光發射位置在525nm的CdZnSe核量子點。

3.根據權利要求1所述的一種高熒光量子產率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子點制備方法，其特征在于，所制備得的CdZnSe/CdSe量子點的熒光發射位置在590nm。

4.根據權利要求1所述的一種高熒光量子產率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子點制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中陽離子前驅體比例為油酸鎘(Cd(OA)₂)：油酸鋅(Zn(OA)₂)＝1:3。