[發明專利]一種去除硅片玻璃層的方法、太陽能電池片及光伏組件

有效

• 申請號: 201911134543.1
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110828613B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 張玥;金井升;王東;熊世龍
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/048;H01L21/306
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 田媛媛

1.一種去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，包括：

獲取與待去除玻璃層的硅片相同的激活硅片，其中，所述玻璃層為磷硅玻璃或者硼硅玻璃；

將所述激活硅片置于HF-HCl混合刻蝕液中進行刻蝕，并將刻蝕后的激活硅片取出，得到激活刻蝕液；

將所述待去除玻璃層的硅片置于所述激活刻蝕液中進行刻蝕，得到去除所述玻璃層的硅片。

2.如權利要求1所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，在所述得到去除所述玻璃層的硅片之后，還包括：

清潔所述硅片，得到清潔后硅片；

烘干所述清潔后硅片，得到處理后硅片。

3.如權利要求1所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，所述HF-HCl混合刻蝕液中HF的體積分數為3％至6％，HCl體積分數為3％至6％，包括端點值。

4.如權利要求1所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，所述將所述激活硅片置于HF-HCl混合刻蝕液中進行刻蝕的刻蝕時間為5分鐘至7分鐘，包括端點值。

5.如權利要求1所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，所述將所述待去除玻璃層的硅片置于所述激活刻蝕液中進行刻蝕的刻蝕時間為5分鐘至7分鐘，包括端點值。

6.如權利要求2所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，所述清潔所述硅片的清潔時間為4分鐘至6分鐘，包括端點值。

7.如權利要求2所述的去除硅片玻璃層的方法，其特征在于，所述烘干所述清潔后硅片的烘干溫度為80℃至90℃，烘干時間為10分鐘至20分鐘，包括端點值。

8.一種太陽能電池片，其特征在于，所述太陽能電池片由權利要求1至7任一項所述的去除硅片玻璃層的方法獲得的硅片制得。

9.一種光伏組件，其特征在于，包括由下至上依次層疊的背板、第一膠膜層、電池層、第二膠膜層、基板，其中，所述電池層包括多片如權利要求8所述的太陽能電池片。