[發明專利]半導體芯片的封裝結構及其制作方法與射頻模組

在審

• 申請號: 201911133511.X
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110739300A
• 公開（公告）日: 2020-01-31
• 發明（設計）人: 周沖
• 申請（專利權）人: 蘇州宙訊科技有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 32256 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 王鋒

本發明公開了一種半導體芯片的封裝結構，所述封裝結構包括半導體芯片和與半導體芯片配合的芯片載板；所述半導體芯片表面形成有密封圈，所述密封圈與所述芯片載板及所述半導體芯片配合形成密封空腔，所述半導體芯片的功能區被所述密封圈環繞且位于所述密封空腔內。本發明還公開了一種射頻模組。本發明提供的半導體芯片的封裝方法簡單易操作，與現有封裝工藝兼容，利于規模化實施，而且形成的半導體芯片的封裝結構尺寸更小、成本更低，能更好的滿足實際應用需求。

技術領域

本發明涉及一種半導體芯片的封裝結構，特別是涉及一種聲濾波器芯片的封裝結構、其制作方法及射頻模組，屬于芯片封裝領域。

背景技術

聲濾波器市場的迅猛發展帶動了相關封裝行業的迅速發展。目前CSP(Chip ScalePackage)封裝技術已經廣泛應用于聲濾波器芯片的封裝。傳統CSP聲濾波器由聲濾波器管芯、封裝樹脂和芯片載板構成。典型的聲濾波器芯片、芯片載板厚度分別為0.2mm、0.15mm，加上封裝樹脂層厚度，最終產品厚度至少為0.5mm，在聲濾波器小型化方面已經走到極限。然而在電子產品高密度、高性能、高集成度和低成本的發展趨勢下，對聲濾波器的尺寸和厚度提出了更高的要求，同時也對新型聲濾波器的集成度和兼容性提出了更高的要求。為此，眾多研究人員進行了深入研究并提出了多種解決方案，但其均存在一些不足。

例如，圖1示出了現有的一種聲濾波器WLP(晶圓級封裝，Wafer Level Package)封裝結構，其主要是在襯底101上制備芯片的功能區102和電極103后，采用雙層有機物材料結構104、105得到芯片功能區所需的空腔結構106，然后制作電極引線107和封裝所需的焊錫球108。封裝結構整體制作工藝復雜，成本較高。

又例如，圖2示出了現有的一種聲濾波器CSP封裝結構，由具有叉指結構204和電極205的聲濾波器芯片201、芯片載板202和封裝樹脂203構成。聲濾波器芯片電極205和芯片載板基板電極207之間用金屬凸點206相連。該封裝工藝限制了芯片整體的封裝厚度和尺寸。

發明內容

本發明主要目的在于提供半導體芯片的封裝結構及其制作方法，從而克服現有技術的不足。

本發明的另一目的在于提供一種射頻模組。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案包括：

本發明實施例提供了一種半導體芯片的封裝結構，包括半導體芯片和與半導體芯片配合的芯片載板；所述半導體芯片表面形成有密封圈，所述密封圈與所述芯片載板及所述半導體芯片配合形成密封空腔，所述半導體芯片的功能區被所述密封圈環繞且位于所述密封空腔內。

在一些實施方式中，所述半導體芯片的電極層上形成有導電凸點，所述半導體芯片經所述導電凸點與芯片載板的電極電性焊接結合，芯片載板內部設有布線層。

在一些實施方式中，所述密封圈由光刻材料形成。

本發明實施例還提供了一種半導體芯片的封裝方法，其包括：

采用光刻材料在半導體芯片表面形成密封圈，并使所述密封圈環繞所述半導體芯片的功能區設置；

將所述半導體芯片與相配合的芯片載板結合，并使所述半導體芯片與所述芯片載板及所述密封圈配合形成密封空腔，且使所述半導體芯片的功能區被封裝于所述密封空腔內。

在一些實施方式中，所述封裝方法具體包括：在所述半導體芯片表面形成光刻材料層，之后進行曝光、顯影，從而在所述半導體芯片的功能區周圍形成所述密封圈。

在一些實施方式中，所述封裝方法具體包括：在所述半導體芯片的電極層上形成金屬凸點，并將所述金屬凸點與芯片載板的電極電性焊接，芯片載板內部設有布線層。

在本發明實施例的前述實施方式中，所述半導體芯片可以為聲濾波器芯片。