[發(fā)明專利]單擴(kuò)散區(qū)切斷的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911132956.6
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110867413A
• 公開（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顏天才;蘇炳熏
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種單擴(kuò)散區(qū)切斷的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在硅襯底上形成若干條狀鰭片和虛擬柵極，所述虛擬柵極的兩側(cè)形成有側(cè)墻；

在所述條狀鰭片上形成源極和漏極；

沉積層間介質(zhì)層，并對所述層間介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化CMP，露出所述虛擬柵極的頂部；

將所述虛擬柵極替換為金屬柵極；

刻蝕所述金屬柵極的頂部，得到接觸窗口；

進(jìn)行光刻工藝，露出部分金屬柵極，露出的金屬柵極用于制作單擴(kuò)散區(qū)切斷；

刻蝕露出的金屬柵極及所述露出的金屬柵極下方的硅，形成單擴(kuò)散區(qū)溝槽；

沉積填充材料并進(jìn)行CMP，形成所述單擴(kuò)散區(qū)切斷，所述填充材料用于填充所述接觸窗口和所述單擴(kuò)散區(qū)溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其特征在于，所述將所述虛擬柵極替換為金屬柵極，包括：

通過光刻、刻蝕工藝去除所述虛擬柵極，形成溝槽；

沉積界面氧化層、高k介質(zhì)層、金屬層，在所述溝槽內(nèi)形成所述金屬柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕露出的金屬柵極及所述露出的金屬柵極下方的硅，形成所述單擴(kuò)散區(qū)溝槽，包括：

刻蝕去除所述露出的金屬柵極；

刻蝕所述露出的金屬柵極下方的硅至所述預(yù)定深度，形成所述單擴(kuò)散區(qū)溝槽。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蝕去除所述露出的金屬柵極，包括：

通過干法刻蝕或濕法刻蝕工藝去除所述露出的金屬柵極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述單擴(kuò)散區(qū)切斷的深度為300至2000埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充材料為氮化硅、氧碳氮化硅、二氧化硅、碳氮化硅、多晶硅中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉積填充材料并進(jìn)行CMP，形成所述單擴(kuò)散區(qū)切斷，所述填充材料用于填充所述接觸窗口和所述單擴(kuò)散區(qū)溝槽，包括：

去除光刻工藝中的光刻膠或硬掩模；

沉積所述填充材料并進(jìn)行CMP，形成所述單擴(kuò)散區(qū)切斷，所述填充材料用于填充所述接觸窗口和所述單擴(kuò)散區(qū)溝槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層的材料為氮氧化硅或二氧化硅。