[發明專利]一種超寬帶極化轉換超表面結構

在審

• 申請號: 201911132443.5
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN110896171A
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 戴會娟;趙永久;鄧宏偉
• 申請（專利權）人: 南京航空航天大學
• 主分類號: H01Q15/24
• 分類號: H01Q15/24
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 石艷紅

1.一種超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：包括三角形棋盤和兩種AMC單元；

三角形棋盤中按設定周期規律排列其中一種AMC單元；兩種AMC單元始終具有180°的相位差；

每種AMC單元均包括外雙V型結構和內雙V型結構；外雙V型結構包括兩種位于v軸上且關于u軸對稱的大V型，兩種大V型的開口相對布設；其中，u軸和v軸為位于AMC單元的兩種對角線上且相互垂直的軸；內雙V型結構位于外雙V型結構中，內雙V型結構包括兩種位于u軸上且關于v軸對稱的小V型，兩種小V型的開口相對布設。

2.根據權利要求2所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：大V型的尖頂夾角α和小V型的尖頂夾角β相等。

3.根據權利要求1所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：α=β=48°。

4.根據權利要求1所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：包括N*N個正方形柵格，每個正方形柵格均以中心點為頂點，等分為四個三角形棋盤；四個三角形棋盤中其中一組位置相對的兩種三角形棋盤內布設相同的一種AMC單元，另外一組位置相對的兩種三角形棋盤內布設相同的另一種AMC單元。

5.根據權利要求1所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：通過調整AMC單元的幾何參數尺寸與排布方式，以及介質層厚度，進而調整最終反射波的相位和振幅。

6.根據權利要求5所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：介質層的材料為F4B，介電常數為2.2，損耗正切為0.001。

7.根據權利要求1所述的超寬帶極化轉換超表面結構，其特征在于：AMC單元中的大V型、小V型中的金屬圖案和介質層底部的金屬基板均采用銅制成，銅的電導率為5.87*10^-7S/m；厚度為0.035mm。