[發明專利]一種光電轉換模塊及光能轉換為電能的轉換方法在審
| 申請號: | 201911131229.8 | 申請日: | 2019-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN110854228A | 公開(公告)日: | 2020-02-28 |
| 發明(設計)人: | 王兆來 | 申請(專利權)人: | 無錫森諾光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/055 |
| 代理公司: | 合肥方舟知識產權代理事務所(普通合伙) 34158 | 代理人: | 劉躍 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光電 轉換 模塊 光能 電能 方法 | ||
1.一種光電轉換模塊,包括鋁合金保護層(1),其特征在于:所述鋁合金保護層(1)的內壁連接有鋼化玻璃(2),所述鋼化玻璃(2)的頂端固定有上密封件(3),所述鋼化玻璃(2)的底端固定有增透膜(4),所述增透膜(4)的底端固定有電池片組件(5),所述電池片組件(5)的底端連接有連接塊(6),所述連接塊(6)的底端連接有下密封件(7),所述下密封件(7)的底端固定有背板(8),所述電池片組件(5)包括有下電池片(9)、上電池片(10),所述上電池片(10)位于下電池片(9)的正上方,所述背板(8)包括有衍射光柵(11)、連接層(12)、絕緣層(13)與防腐層(14),所述衍射光柵(11)位于連接層(12)的正上方,所述連接層(12)位于絕緣層(13)的正上方,所述絕緣層(13)位于防腐層(14)的正上方。
2.根據權利要求1所述的一種光電轉換模塊,其特征在于:所述鋼化玻璃(2)的透光率為百分之九十五,且鋼化玻璃(2)經過超白鋼化處理,所述鋁合金保護層(1)與鋼化玻璃(2)相接觸的位置處設置有密封硅膠。
3.根據權利要求1所述的一種光電轉換模塊,其特征在于:所述上密封件(3)與下密封件(7)均為橡膠材質構成,且上密封件(3)與下密封件(7)的橫截面均為等腰三角形,所述上密封件(3)與鋼化玻璃(2)通過粘性膠水固定連接,所述下密封件(7)與背板(8)通過粘性膠水固定連接。
4.根據權利要求1所述的一種光電轉換模塊,其特征在于:所述下電池片(9)與上電池片(10)通過EVA膠水固定連接,且下電池片(9)的底端與上電池片(10)的頂端均設置有多組指狀電極、連接焊帶與總線焊帶,所述指狀電極與連接焊帶電性連接,所述連接焊帶與總線焊帶通過焊接固定連接。
5.根據權利要求1所述的一種光電轉換模塊,其特征在于:所述衍射光柵(11)的基底由玻璃制成,且基底的頂端渡有鋁質薄膜,所述鋁質薄膜的表面刻有多組平行線,所述衍射光柵(11)與連接塊(6)通過粘性膠水固定連接,且連接塊(6)為鋁質組成。
6.根據權利要求1所述的一種光電轉換模塊,其特征在于:所述連接層(12)靠近衍射光柵(11)的一側分布有多個向下凹陷的半圓環結構,且連接層(12)與衍射光柵(11)通過EVA膠水連接,所述防腐層(14)的底端通過粘性膠水固定有聚丙烯薄膜。
7.一種光能轉換為電能的轉換方法,其特征在于:包括下列步驟:
步驟一:光能穿過鋼化玻璃(2)并進入裝置內部,并與增透膜(4)接觸;
步驟二:光能與增透膜(4)接觸后,光能中與增透膜(4)厚度相等的光線從增透膜(4)的兩側反射,并相互抵消;
步驟三:剩余的光線全部穿過增透膜(4)與下電池片(9)接觸,自由電子在下電池片(9)上的P-N結兩側聚集形成電位差;
步驟四:在電位差形成的電壓作用下,電流流過外部電路產生輸出功率從,使部分光能轉為電能;
步驟五:穿過下電池片(9)的光能,繼續穿過上電池片(10)并與衍射光柵(11)接觸,剩余光能在衍射光柵(11)的作用下被反射;
步驟六:光能與衍射光柵(11)接觸后,自由電子在衍射光柵(11)上的P-N結兩側聚集形成電位差;
步驟七:在電位差形成的電壓作用下,電流流過外部電路產生輸出功率從,使部分光能轉為電能;
步驟八:電能輸出。
8.根據權利要求7所述的一種光能轉換為電能的轉換方法,其特征在于:所述步驟一種光能穿過鋼化玻璃(2)后有部分光能被折射,且鋼化玻璃(2)上設置有靜電導線,所述鋼化玻璃(2)上的靜電導線與地面相接觸。
9.根據權利要求7所述的一種光能轉換為電能的轉換方法,其特征在于:所述步驟二中的被發射光在增透膜(4)中的波長為原波長的四分之一。
10.根據權利要求7所述的一種光能轉換為電能的轉換方法,其特征在于:所述步驟四與步驟七中的電能經過接線盒輸送至蓄電池中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





