[發明專利]電致變色反射陣列天線有效
| 申請號： | 201911128704.6 | 申請日： | 2019-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN111200182B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | S·布爾加;R·科普夫;R·卡希爾;M·諾勞齊亞拉布 | 申請（專利權）人： | 諾基亞技術有限公司 |
| 主分類號： | H01Q1/36 | 分類號： | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q15/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 馬明月 |
| 地址： | 芬蘭*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 變色 反射 陣列 天線 | ||
1.一種天線元件，包括：
襯底，所述襯底包括硅，所述襯底具有厚度Hdielλg/40，其中λg是與所述天線元件的所選擇的操作頻率相關聯的引導波長；
在所述襯底上的隔離層，所述隔離層進一步包括垂直地連接到偏置線的微帶線；
電致變色(EC)層，在所述隔離層上；
在所述電致變色層上的接地平面層，所述接地平面層進一步包括垂直于所述微帶線的槽；
在所述接地平面層上的貼片襯底層；以及
貼片天線，在所述貼片襯底層上，具有基于所述λg確定的長度，
其中所述貼片天線的寬度(Xpatch)和所述微帶線的寬度(Xline)被確定為使得所述貼片天線的輸入阻抗與所述微帶線的特征阻抗匹配；
其中所述槽的長度(Xslot)和所述微帶線的長度(Yline)被確定為使得由Yline確定的所述微帶線的所述特征阻抗與由Xslot確定的所述貼片天線接收的耦合量相匹配；并且
其中所述電致變色層被配置使得向所述偏置線施加電壓改變所述電致變色層的介電常數并且產生所述天線的相移。
2.根據權利要求1所述的天線元件，其中所述貼片襯底進一步包括電介質。
3.根據權利要求2所述的天線元件，其中所述電介質進一步包括二氧化硅(SiO2)。
4.根據權利要求1所述的天線元件，其中所述EC層進一步包括多個子層。
5.根據權利要求4所述的天線元件，其中所述EC層進一步包括以下的變色子層：氧化鎢(WO3)、氧化鈦(TiO2)、三氧化鉬(MoO3)、氧化鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)或其他過渡金屬氧化物。
6.根據權利要求4所述的天線元件，其中所述EC層進一步包括以下的變色子層：氧化鎳(NiO)、氧化鉻(Cr2O3)、氧化錳(MnO2)、氧化鐵(FeO2)、氧化鈷(CoO2)、氧化銠(RhO2)、氧化銥(IrO2)或其他過渡金屬氧化物。
7.根據權利要求4所述的天線元件，其中所述EC層進一步包括以下的一個或多個電解質子層：顯示不同的離子電導率和電子電導率的任何電解質。
8.根據權利要求7所述的天線元件，其中顯示不同的離子電導率和電子電導率的所述電解質包括鈮酸鋰(LiNbO3)。
9.根據權利要求1所述的天線元件，其中所述隔離層進一步包括二氧化硅(SiO2)。
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